ps2832-1, -4, ps2833-1, -4
典型 效能 曲线
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指定)
二极管 电源 消耗
vs. 包围的 温度
晶体管 电源 消耗
vs. 包围的 温度
向前 电流
vs. 向前 电压
集电级 电流 vs.
集电级 饱和 电压
集电级 至 发射级 dark 电流
vs. 包围的 温度
集电级 电流
vs. 集电级 至 发射级 电压
100
80
60
40
20
0
25 50 75 100
0.8 mw/°c
ps2832-4
ps2833-4
ps2832-1
ps2833-1
0.6 mw/°c
ps2832-1, -4
ps2833-1, -4
1.2 mw/°c
0255075100
120
100
80
60
40
20
0.7
0.1
0.5
1
10
0.9 1.0 1.2 1.3 1.5
1.4
5
100
50
T
一个
= +100 °c
+60 °c
+25 °c
0 °c
-25 °c
-50 °c
0.8 1.1
100
50
10
5
10.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
1
5 毫安
3 毫安
2 毫安
1 毫安
I
F
= 0.5 毫安
100
50
10
5
1
0 12345
1 毫安
5 毫安
3 毫安
2 毫安
I
F
= 0.5 毫安
ctr = 1068 %
2290 %
4360 %
V
CEO
= 300 v
100,000
10,000
1000
100
10
1
-50 -25 0 25 50 75 100
二极管 电源 消耗, p
D
(mw)
包围的 温度, t
一个
(
°
c)
包围的 温度, t
一个
(
°
c)
向前 电压,v
F
(v)
向前 电流, i
F
(毫安)
集电级 电流, i
C
(毫安)
集电级 饱和 电压, v
ce(sat)
(v)
Transistor 电源 消耗, p
C
(mw)
集电级 电流, i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压, v
CE
(v)包围的 温度, t
一个
(
°
c)
集电级 至 发射级 dark 电流, i
CEO
(na)
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