82595FX
22 Local 记忆 接口
标识
管脚
类型 名字 和 函数
No
LADDR0 143 O
LOCAL 记忆 地址 (laddr0–laddr15)
这些 输出
包含 这 多路复用 地址 为 这 local SRAM
LADDR1 144
LADDR2 145
FLASH 地址 14–17 (laddr0–laddr5)
这些 管脚 控制 这
LADDR3 146
FLASH 寻址 从 16K 至 1M 至 准许 paging 的 这 FLASH 在 16K
LADDR4 147 spaces 这些 地址 是 下面 直接 控制 的 这 FLASH PAGING
配置 register
LADDR5 148
LADDR6 149
LADDR7 150
LADDR8 153
LADDR9 154
LADDR10 155
LADDR11 156
LADDR12 157
LADDR13 158
LADDR14 159
LADDR15 2
LDATA0 132 IO
LOCAL 记忆 数据 总线 (ldata0–ldata7)
这 第八 IO
signals comprising 这 local 数据 bus 是 使用 至 读 或者 写 数据 至 或者
LDATA1 133
从 这 8-位 宽 SRAM
LDATA2 134
LDATA3 135
FLASH 记忆 数据 总线 (ldata0–ldata7)
这些 信号 也
LDATA4 137 提供 第八 位 的 数据 为 accesses 至 一个 8-位 FLASHEPROM 如果 这些
组件 是 used
LDATA5 138
LDATA6 139
LDATA7 140
SRAMCS 13 O
SRAM 碎片 SELECT
这个 起作用的 低 输出 是 这 碎片 选择 至 这
SRAM
LWE 12 O 这个 起作用的 低 输出 是 这
写 使能
至 这 SRAM
这个 管脚 也 提供 这 起作用的 低
写 使能
至 这
FLASH
LOE 16 O 这个 起作用的 低 输出 是 这
输出 使能
至 这 SRAM
这个 管脚 也 提供 这 起作用的 低
输出 使能
控制 至 这
FLASH
BOOTCS 10 O
激励 EPROMFLASH 碎片 SELECT
起作用的 低 output
EEPROMCS 8 IO
可擦可编程只读存储器 CS
起作用的 高 signal 如果 非 可擦可编程只读存储器 是 connected 这个 管脚
应当 是 连接 至 V
CC
在 这个 情况 它 将 函数 作 一个 输入 至 这
82595FX 至 表明 非 可擦可编程只读存储器 是 connected
EEPROMSK 117 O
可擦可编程只读存储器 变换 CLOCK
这个 输出 是 使用 至 变换 数据 在 和 输出 的
这 串行 EEPROM
EEPROMDO 119 O
可擦可编程只读存储器 数据 输出
EEPROMDI 118 O
可擦可编程只读存储器 数据 在
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