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资料编号:1042565
 
资料名称:S29C51001T
 
文件大小: 7725K
   
说明
 
介绍:
1 MEGABIT (131,072 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
 
 


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4
绝对 最大 比率
(1)
便条:
1.压力 更好 比 那些 列表 unders “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力
比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
2.非 更多 比 一个 输出 maybe 短接 在 一个 时间 和 不 exceeding 一个 第二 长.
直流 电的 特性
(在 这 商业的 运行 范围)
标识参数商业的扩展单位
V
输入 电压 (输入 或者 i/o 管脚)-2 至 +7-2 至 +7V
V
输入 电压 (一个
9
管脚, oe
)-2 至 +13-2 至 +13V
V
CC
电源 供应 电压-0.5 至 +5.5-0.5 至 +5.5V
T
STG
存储 temerpature (塑料)-65 至 +125-65 至 +150
°
C
T
OPR
运行 温度0 至 +70-40 至 + 125
°
C
I
输出
短的 电路 电流
(2)
200 (最大值.)200 (最大值.)毫安
参数
名字参数测试 情况最小值最大值单位
V
IL
输入 低 电压V
CC
= v
CC
最小值0.8V
V
IH
输入 高 电压V
CC
= v
CC
最大值2V
I
IL
输入 泄漏 电流V
= 地 至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1
µ
一个
I
OL
输出 泄漏 电流V
输出
= 地 至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1
µ
一个
V
OL
输出 低 电压V
CC
= v
CC
最小值., i
OL
= 2.1ma0.4V
V
OH
输出 高 电压V
CC
= v
CC
最小值, i
OH
= -400
µ
一个2.4V
I
CC1
读 电流CE
= oe = v
IL
, 我们
= v
IH
, 所有 i/os 打开,
地址 输入 = v
IL
/v
IH
, 在 f = 1/t
RC
最小值,
V
CC
= v
CC
最大值
40毫安
I
CC2
程序 电流CE
= 我们 = vil, oe = v
IH
, v
CC
= v
CC
最大值50毫安
I
SB
ttl 备用物品 电流CE
= oe = 我们 = v
IH
, v
CC
= v
CC
最大值2毫安
I
SB1
cmos 备用物品 电流ce = oe = 我们 = v
CC
– 0.3v, v
CC
= v
CC
最大值100
µ
一个
V
H
设备 id 电压 为 一个
9
ce = oe = v
IL
, 我们 = v
IH
11.512.5V
I
H
设备 id 电流 为 一个
9
ce = oe = v
IL
, 我们 = v
IH
, a9 = v
H
最大值50
µ
一个
SyncMOSTechnologies公司
S
29C5100
1
t/
S
29C5100
1
B
1
megabit (
131,072
x 8
位)
5VOLTcmos flash memoRY
S
29c51001t/
S
29C51001B
v1.0
二月
2003
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