9
函数的 描述
The
S
29c51001t/
S
29C51001B组成 的 256
equally-sized sectors 的 512 字节 各自. 这 8 kb
lockable 激励 块 是 将 为 存储 的 这
系统 bios 激励 代号. 这 激励 代号 是 这 第一
片 的 代号 executed 各自 时间 这 系统 是
powered 在 或者 rebooted.
这
S
29c51001 是 有 在 二 版本: 这
S
29c51001t 和 这 激励 块 地址 开始
从 1e000h 至 1ffffh, 和 这
S
29C51001B
和 这 激励 块 地址 开始 从 00000h
至 1ffffh.
读 循环
一个 读 循环 是 执行 用 支持 bothCE
一个dOE信号 低. 数据 输出 变为 有效的 仅有的
当 这些 情况 是 符合. 在 一个 读 循环
我们必须 是 高 较早的 至 ce 和 oe going 低.
我们必须 仍然是 高 在 这 读 运作
为 这 读 至 完全 (看 表格 1).
输出 使不能运转
ReturningOE或者 ce 高, whichever occurs 第一
将 terminate 这 读 运作 和 放置 这 l/o
管脚 在 这 高-z 状态.
备用物品
这 设备 将 enter 备用物品 模式 当 这 ce
信号 是 高. 这 l/o 管脚 是 放置 在 这
高-z, 独立 的 这 oe 信号.
字节 程序 循环
The
S
29c51001t/
S
29C51001B是 编写程序
在 一个 字节-用-字节 基准. 这 字节 程序
运作 是 initiated 用 使用 一个 明确的 四-总线-
循环 sequence: 二 unlock 程序 循环, 一个
程序 建制 command 和 程序 数据
程序 循环 (看 表格 2).
在 这 字节 程序 循环, 地址 是
latched 在 这 下落 边缘 的 eitherCE
或者 我们,
whichever 是 last. 数据 是 latched 在 这 rising 边缘
ofCE
或者 我们, whichever 是 第一. 这 字节 程序
循环 能 是 ce 控制 或者 我们 控制.
sector 擦掉 循环
这
S
29c51001t/
S
29C51001B特性 一个
sector 擦掉 运作 这个 准许 各自 sector 至
是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
数据 贮存 在 其它 sectors. sector 擦掉 运作
是 initiated 用 使用 一个 明确的 六-总线-循环
sequence: 二 unlock 程序 循环, 一个 建制
command, 二 额外的 unlock 程序 循环,
和 这 sector 擦掉 command (看 表格 2). 一个
sector 必须 是 第一 erased 在之前 它 能 是
reprogrammed. 当 在 这 内部的 擦掉 模式,
这 设备 ignores 任何 程序 attempt 在 这
设备. 这 内部的 擦掉 completion 能 是
决定 通过 数据 polling 或者 toggle 位.
The
S
29c51001t/
S
29C51001B是 运输 和
前-erased sectors (所有 位 = 1).
8kb 激励 块
512
512
512
512
512
512
•
•
•
512
512
8kb 激励 块
S
29C51001T
S
29C51001B
1FFFFH
1E000H
00000H
01FFFH
51001-13
00000H
8kb 激励 块 = 16 sectors
•
•
•
表格 1. 运作 模式 解码
解码 模式CE OE 我们 一个
0
一个
1
一个
9
i/o
读V
IL
V
IL
V
IH
一个
0
一个
1
一个
9
读
字节 写V
IL
V
IH
V
IL
一个
0
一个
1
一个
9
PD
备用物品V
IH
XXXXX高-z
autoselect 设备 idV
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
H
代号
autoselect 制造 idV
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
H
代号
enabling 激励 块 保护 锁V
IL
V
H
V
IL
XXV
H
X
SyncMOSTechnologies公司
S
29C5100
1
t/
S
29C5100
1
B
1
megabit (
131,072
x 8
位)
5VOLTcmos flash memoRY
S
29c51001t/
S
29C51001B
v1.0
二月
2003
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