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资料编号:104306
 
资料名称:834B
 
文件大小: 140.18K
   
说明
 
介绍:
SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
830 序列
公布 6 - january 2002
2
部分
电容 (pf)
V
R
=2v, f=1MHz
最小值 Q
V
R
=3V
f=50MHz
电容 比率
C
2
/c
20
f=1MHz
最小值 nom. 最大值 最小值 最大值
829A 7.38 8.2 9.02 250 4.3 5.8
829B 7.79 8.2 8.61 250 4.3 5.8
830A 9.0 10.0 11.0 300 4.5 6.0
830B 9.5 10.0 10.5 300 4.5 6.0
831A 13.5 15.0 16.5 300 4.5 6.0
831B 14.25 15.0 15.75 300 4.5 6.0
832A 19.8 22.0 24.2 200 5.0 6.5
832B 20.9 22.0 23.1 200 5.0 6.5
833A 29.7 33.0 36.3 200 5.0 6.5
833B 31.35 33.0 34.65 200 5.0 6.5
834A 42.3 47.0 51.7 200 5.0 6.5
834B 44.65 47.0 49.35 200 5.0 6.5
835A 61.2 68.0 74.8 100 5.0 6.5
835B 64.6 68.0 71.4 100 5.0 6.5
836A 90.0 100.0 110.0 100 5.0 6.5
836B 95.0 100.0 105.0 100 5.0 6.5
tuning 特性 在 Tamb = 25
°
C
参数 标识 最大值 单位
向前 电流 I
F
200 毫安
电源 消耗 T
amb
=25
C SOT23 P
tot
330 mW
电源 消耗 T
amb
=25
C SOD323 P
tot
330 mW
电源 消耗 T
amb
=25
C SOD523 P
tot
250 mW
运行 存储 温度 范围 -55 +150
C
绝对 最大 比率
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
反转 损坏 电压 I
R
= 10uA 25 V
反转 电压 泄漏 V
R
= 20V 0.2 20 nA
温度 系数 电容 V
R
= 3v, f = 1MHz 300 400 ppcm/
C
电的 特性 在 Tamb = 25
°
C
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