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资料编号:1046481
 
资料名称:STGD5NB120SZT4
 
文件大小: 350K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
 
 


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stgd5nb120sz-1 - stgd5nb120sz
2/13
表格 3: 绝对 最大 比率
(
)
脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(1) v
CE
= 50 v , i
AV
= 3.3 一个
表格 4: 热的 数据
电的 特性
(t
情况
=25
°
c 除非 否则 指定)
表格 5: 开关
标识 参数 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 (v
GS
= 0)
1200 V
V
ECR
发射级-集电级 电压 20 V
V
GE
门-发射级 电压 ±20 V
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 t
C
= 25
°
C
10 一个
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 t
C
= 100
°
C
5A
I
CM
(
)
集电级 电流 (搏动) 20 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25
°
C
55 W
减额 因素 0.44 w/
°
C
eas (1)
单独的 脉冲波 avalanche 活力 在 t
j
= 25
°
C
单独的 脉冲波 avalanche 活力 在 t
j
= 100
°
C
10
7
mJ
mJ
T
stg
存储 温度
55 至 150
°
C
T
j
运行 接合面 温度 范围 150
°
C
最小值 典型值 最大值
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 2.27
°
c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 100
°
c/w
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
br(ces)
集电级-发射级 损坏
电压
I
C
= 10 毫安, v
GE
= 0 v 1200 V
I
CES
集电级 截-止 电流
(v
GE
= 0)
V
CE
= 900 v
V
CE
= 900 v, t
j
= 125
°
C
50
250
µA
µA
I
GES
门-发射级 泄漏
电流 (v
CE
= 0)
V
GE
= ±20v , v
CE
= 0 v ±100 nA
V
ge(th)
门 门槛 电压
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250 µa
25V
V
GE
门 发射级 电压 V
CE
=2.5 v, i
C
= 2 一个,
tj = 25
÷
125
°
C
6.5 V
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和
电压
V
GE
= 15v, i
C
= 5 一个
V
GE
= 15v, i
C
= 5 一个, tj =125
°
C
1.3
1.2
2.0
V
V
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