STK11C68
六月 1999 4-28
内部,
RECALL
是 一个 二-步伐 程序. 第一,
这
SRAM
数据 是 cleared, 和 第二, 这 nonvola-
tile 信息 是 transferred 在 这
SRAM
cells.
之后 这 t
RECALL
循环 时间 这
SRAM
将 once 又一次
是 准备好 为
读
和
写
行动. 这
RECALL
运作 在 非 方法 改变 这 数据 在 这
可擦可编程只读存储器
cells. 这 nonvolatile 数据 能 是 recalled
一个 unlimited 号码 的 时间.
电源-向上
RECALL
在 电源 向上, 或者 之后 任何 低-电源 情况
(v
CC
<v
重置
), 一个 内部的
RECALL
要求 将 是
latched. 当 V
CC
once 又一次 超过 这 sense
电压 的 V
转变
,一个
RECALL
循环 将 automatically
是 initiated 和 将 引领 t
RESTORE
至 完全.
如果 这 STK11C68 是 在 一个
写
状态 在 这 终止 的
电源-向上
RECALL
, 这
SRAM
数据 将 是 corrupted.
至 帮助 避免 这个 situation, 一个 10K Ohm 电阻
应当 是 连接 也 在
W 和 系统
V
CC
或者 在 e 和 系统 v
CC
.
硬件 保护
这 STK11C68 提供 硬件 保护 相反
inadvertent
STORE
运作 在 低-电压
情况. 当 V
CC
<v
转变
, 软件
STORE
行动 是 inhibited.
低 平均 起作用的 电源
这 STK11C68 牵引 significantly 较少 电流
当 它 是 cycled 在 时间 变长 比 50ns. 图示 2
显示 这 relationship 在 I
CC
和
读
循环
时间. worst-情况 电流 消耗量 是 显示 为
两个都
CMOS
和
TTL
输入 水平 (商业的 tem-
perature 范围, V
CC
= 5.5v, 100% 职责 循环 在 碎片
使能). 图示 3 显示 这 一样 relationship 为
写
循环. 如果 这 碎片 使能 职责 循环 是 较少
比 100%, 仅有的 备用物品 电流 是 描绘 当 这
碎片 是 无能. 这 整体的 平均 电流 描绘
用 这 STK11C68 取决于 在 这 下列的 items:
1)
CMOS
vs.
TTL
输入 水平; 2) 这 职责 循环 的
碎片 使能; 3) 这 整体的 循环 比率 为 accesses;
4) 这 比率 的
读
sto
写
s; 5) 这 运行
温度; 6) 这 v
cc
水平的; 和 7) i/o 加载.
图示 2: i
CC
(最大值) 读
0
20
40
60
80
100
50 100 150 200
循环 时间 (ns)
TTL
CMOS
平均 起作用的 电流 (毫安)
图示 3: i
CC
(最大值) 写
0
20
40
60
80
100
50 100 150 200
循环 时间 (ns)
TTL
CMOS
平均 起作用的 电流 (毫安)
: 点此下载
