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资料编号:1046783
 
资料名称:STP7NC70Z
 
文件大小: 529K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 700V - 1.1ohm - 6A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
 
 


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STP7NC70Z - STP7NC70ZFP - STB7NC70Z - stb7nc70z-1
电的 特性
(持续)
切换
切换
二极管
门-源 齐纳 二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围.
3.
V
BV
=
α
t(25°-t)bv
GSO
(25°)
保护 特性 门-至-源 齐纳 二极管
建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 specifically 设计 增强 仅有的 设备的
静电释放 能力, 但是 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 occasionally
应用 源. 这个 遵守 齐纳 电压 appropiate 达到 一个 效率高的
费用-有效的 intervention 保护 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免
用法 外部 组件.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
上升 时间
V
DD
=350v,i
D
= 3.5 一个
R
G
= 4.7
V
GS
=10V
(看 测试 电路, 图示 3)
24 ns
t
r
8ns
Q
g
总的 承担
V
DD
=560v,i
D
= 7a,
V
GS
=10V
47 66 nC
Q
gs
门-源 承担 11 nC
Q
gd
门-流 承担 19 nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
止-电压 上升 时间
V
DD
= 560v, I
D
=7a,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
= 10V
(看 测试 电路, 图示 5)
11 ns
t
f
下降 时间 10 ns
t
c
交叉-在 时间 19 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
源-流 电流 6 一个
I
SDM
(2)
源-流 电流 (搏动) 24 一个
V
SD
(1)
向前 电压
I
SD
= 6 一个, V
GS
=0
1.6 V
t
rr
反转 恢复 时间
I
SD
= 7a, di/dt = 100a/µs,
V
DD
=50v,t
j
= 150°C
(看 测试 电路, 图示 5)
575 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 5.8 µC
I
RRM
反转 恢复 电流 20 一个
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
Igs=± 1mA (打开 流) 25 V
α
T 电压 热的 系数 T=25°C 便条(3) 1.3
10
-4
/°c
Rz 动态 阻抗
I
D
=50ma,v
GS
=0
90
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