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资料编号:1046786
 
资料名称:STP80N03L-06
 
文件大小: 77K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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stp80n03l-06
n - 频道 增强 模式
"过激 高 密度" 电源 mos 晶体管
tentative 数据
典型 r
ds(在)
= 0.005
avalanche 坚毅的 技术
100% avalanche 测试
repetitive avalanche 数据 在 100
o
C
高 电流 能力
175
o
c 运行 温度
高 dv/dt 强壮
产品
高 电流, 高 速 切换
电源 发动机 控制
直流-直流 &放大; 直流-交流 转换器
syncronous 整流
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 参数 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 30 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
= 20 k
)30v
V
GS
门-源 电压
±
15 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 25
o
C80A
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 100
o
C60A
I
DM
(
) 流 电流 (搏动) 320 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
= 25
o
C 150 W
减额 因素 1 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 5 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 175
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 175
o
C
(
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
stp80n03l-06 30 v < 0.006
80 一个 (*)
march 1996
至-220
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