STU8NB90
n-频道 900v - 0.7
Ω
- 8.9a - max220
PowerMESH
场效应晶体管
进步 数据
■
典型 r
ds(在)
= 0.7
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
■
非常 低 intrinsic capacitances
■
门 承担 使减少到最低限度
■
±
30v 门 至 源 电压 比率
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay
处理, 意法半导体 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 mosfets 和
优秀的 performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 公司’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 r
ds(在)
每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 welding
设备 和 uninterruptible
电源 供应 和 发动机 驱动
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发 或者 undergoing evaluation. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
®
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 900 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
900 V
V
GS
门-源 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 25
o
C 8.9 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 100
o
C 5.6 一个
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 35 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
= 25
o
C 160 W
减额 因素 1.28 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
) i
SD
≤
8.9 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
(br)dss
, tj
≤
T
JMAX
12月 1998
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STU8NB90 900 v < 1
Ω
8.9 一个
1
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3
Max220
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