4-248
telcom 半导体, 公司
典型 特性
上升 时间 vs. 电容的 加载
时间 (nsec)
上升 和 下降 时间 vs. 温度
t
上升
温度 (
°
c)
c = 1000 pf
加载
v = 17.5v
DD
传播 延迟 vs. 供应 电压
t
下降
(nsec)
4681012
14 16 18
下降 时间 vs. 供应 电压
100 pf
470 pf
1000 pf
2200 pf
1500 pf
t
上升
(nsec)
4681012
14 16 18
上升 时间 vs. 供应 电压
V
DD
100 pf
470 pf
2200 pf
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 25
°
C
1500 pf
100 1000 10,000
c (pf)
加载
5V
10V
15V
下降 时间 vs. 电容的 加载
100 1000 10,000
5V
10V
60
–55 –35 5 25 45 65 85 105 125–15
60
4681012
14 16 18
延迟 时间 (nsec)
t
D2
t
D1
c = 1000 pf
加载
100
V
DD
c (pf)
加载
t
下降
V
DD
1000 pf
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
50
40
30
20
10
t
上升
(nsec)
t
下降
(nsec)
15V
T
一个
= 25
°
C T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 25
°
C
1.5a 双 高-速
电源 场效应晶体管 驱动器
TC4426
TC4427
TC4428