4-258
telcom 半导体, 公司
1.5a 高-速 30v 场效应晶体管 驱动器
TC4431
TC4431
电的 特性:
T
一个
= +25
°
c 和 5.0
≤
V
DD
≤
30v, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
IH
逻辑 1 高 输入 电压 2.4 — — V
V
IL
逻辑 0 低 输入 电压 — — 0.8 V
I
在
输入 电流 (便条 1) 0V
≤
V
在
≤
V
DD
(16v 最大值) –1 — 1
µ
一个
输出
V
OH
高 输出 电压 I
输出
= 100ma V
DD
– 1.0 V
DD
– 0.8 — V
V
OL
低 输出 电压 — — 0.025 V
R
O
输出 阻抗 (v
OL
)v
DD
= 30v, i
O
= 10ma — 7 10
Ω
I
PK
顶峰 输出 电流 源: v
DD
= 30v — 3.0 — 一个
下沉: v
DD
= 30v — 1.5 —
I
REV
获得-向上 保护 职责 循环
≤
2% 0.3 — — 一个
承受 反转 电流 t
≤
300
µ
秒
切换 时间
(便条 2)
t
R
上升 时间 图示 1 — 25 40 nsec
t
F
下降 时间 图示 1 — 33 50 nsec
t
D1
延迟 时间 图示 1 — 62 80 nsec
t
D2
延迟 时间 图示 1 — 78 90 nsec
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 V
在
= 3v — 2.5 4 毫安
V
在
= 0v — 0.3 0.4
V
S
开始-向上 门槛 — 8.4 10 V
V
做
漏出-输出 门槛 (便条 3) 7 7.7 — V
绝对 最大 ratings*
供应 电压 ............................................................36V
输入 电压 (便条 1) ........................ V
DD
+ 0.3v 至 地
最大 碎片 温度 ................................. +150
°
C
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) ................. +300
°
C
包装 热的 阻抗
cerdip r
θ
j-一个
................................................ 150
°
c/w
cerdip r
θ
j-c
.................................................. 50
°
c/w
pdip r
θ
j-一个
................................................... 125
°
c/w
pdip r
θ
j-c
..................................................... 42
°
c/w
soic r
θ
j-一个
................................................... 250
°
c/w
soic r
θ
j-c
..................................................... 75
°
c/w
*static-敏感的 设备. unused 设备 必须 是 贮存 在 传导性的
材料. 保护 设备 从 静态的 释放 和 静态的 地方. 压力
在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些
表明 在 这 运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将
影响 设备 可靠性.
运行 温度 范围
c 版本 ............................................... 0
°
c 至 +70
°
C
e 版本 ...........................................- 40
°
c 至 +85
°
C
包装 电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c )
塑料 .............................................................730mW
CerDIP ............................................................800mW
SOIC ...............................................................470mW
: 点此下载
