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资料编号:1047627
 
资料名称:TC58FVM5B2AFT65
 
文件大小: 799K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tc58fvm5(t/b)(2/3)一个(ft/xb)65
2003-01-29 7/63
同时发生的 读/写 运作
这 tc58fvm5t2a/b2a/t3a/b3a 特性 一个 同时发生的 读/写 运作. 这 同时发生的 读/写
运作 使能 这 设备 至 同时发生地 写 数据 至 或者 擦掉 数据 从 一个 bank 当 读 数据 从
另一 bank.
这 tc58fvm5t2a/b2a/t3a/b3a 有 一个 总的 的 四 banks (4mbits: 12mbits: 12mbits: 4mbits ). banks 能 是
切换 在 使用 这 bank 地址 (a20~a18). 为 一个 描述 的 bank blocks 和 地址, 请 谈及
至 这 块 地址 表格 和 块 大小 表格.
这 同时发生的 读/写 运作 不能 执行 多样的 行动 在里面 一个 单独的 bank. 这 表格
在下 显示 这 运作 模式 在 这个 同时发生的 运作 能 是 执行.
便条 那 在 自动-程序 执行 或者 自动 块 擦掉 运作, 这 同时发生的 读/写 运作
不能 读 数据 从 地址 在 这 一样 bank 这个 有 不 被 选择 为 运作. 数据 从 这些
地址 能 是 读 使用 这 程序 suspend 或者 擦掉 suspend 函数, 不管怎样.
同时发生的 读/写 运作
状态 的
bank 在 这个 运作 是 正在
执行
状态 的 其它 banks
读 模式
id 读 模式
(1)
自动-程序 模式
自动-页 程序 模式
快 程序 模式
(2)
程序 suspend 模式
自动 块 擦掉 模式
自动 多样的 块 擦掉 模式
(3)
擦掉 suspend 模式
程序 在 擦掉 suspend
程序 suspend 在 擦掉 suspend
cfi 模式
读 模式
(1) 仅有的 command 模式 是 有效的.
(2) 包含
时间 当 acceleration 模式 是 在 使用.
(3) 如果 这 选择 blocks 是 展开 横过 所有 四 banks, 同时发生的 运作 不能 是 carried 输出.
运作 模式
在 增加 至 这 读, 写 和 擦掉 模式, 这 tc58fvm5t2a/b2a/t3a/b3a 特性 许多 功能
包含 块 保护 和 数据 polling. 当 包含 这 设备 在 一个 deign, 请 谈及 至 这 定时
charts 和 flowcharts 在 结合体 和 这 描述 在下.
读 模式 (页 读)
至 读 数据 从 这 记忆 cell 排列, 设置 这 设备 至 读 模式. 在 读 模式 这 设备 能 执行
高-速 随机的 进入 和 页 读 作 异步的 只读存储器.
这 设备 是 automatically 设置 至 读 模式 立即 之后 电源-在 或者 在 completion 的 自动
运作. 一个 软件 重置 releases id 读 模式 和 这 锁 状态 这个 这 设备 enters 如果 自动
运作 ends abnormally, 和 sets 这 设备 至 读 模式. 一个 硬件 重置 terminates 运作 的 这
设备 和 resets 它 至 读 模式. 当 读 数据 没有 changing 这 地址 立即 之后
电源-在, 也 输入 一个 硬件 重置 或者 改变
CE 从 h 至 l.
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