pn100 / mmbt100 / pn100a / mmbt100a
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 45 V
V
CBO
集电级-根基 电压 75 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 500 毫安
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
MMBT100
MMBT100A
PN100
PN100A
npn 一般 目的 放大器
这个 设备 是 设计 为 一般 目的 放大器 产品
在 集电级 电流 至 300 毫安. sourced 从 处理 10.
绝对 最大 ratings*
ta=25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
分离的 电源 &放大; 信号
科技
热的 特性
ta= 25°c 除非 否则 指出
*
设备 挂载 在 fr-4 pcb 1.6" x 1.6" x 0.06."
标识 典型的 最大值 单位
PN100A *MMBT100A
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
625
5.0
350
2.8
mW
mw/
°
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 83.3
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 200 357
°
c/w
C
B
E
至-92
C
B
E
sot-23
mark: na / na1
1997 仙童 半导体 公司
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