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资料编号:1053649
 
资料名称:MMBT100
 
文件大小: 47K
   
说明
 
介绍:
NPN General Purpose Amplifier
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
pn100 / mmbt100 / pn100a / mmbt100a
典型 特性
(持续)
npn 一般 目的 放大器
(持续)
根基-发射级 饱和
电压 vs 集电级 电流
0.1 1 10 100 300
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i - 集电级 电流 (毫安)
v - 集电级-发射级 电压 (v)
β
= 10
C
BESAT
25 °c
- 40 °c
125 °c
根基-发射级 在 电压 vs
集电级 电流
1 10 100 500
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i - 集电级 电流 (毫安)
v - 根基-发射级 在 电压 (v)
C
BEON
v = 5v
CE
25 °c
- 40 °c
125 °c
集电级-截止 电流
vs 包围的 温度
25 50 75 100 125 150
0.1
1
10
t - 包围的 温度 ( c)
i - 集电级 电流 (na)
一个
CBO
v = 60v
º
CB
输入 和 输出 电容
vs 反转 电压
0.1 1 10 100
0.1
1
10
100
v - 集电级 电压(v)
电容 (pf)
Cib
Cob
f = 1.0 mhz
ce
切换 时间 vs
集电级 电流
10 20 30 50 100 200 300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
i - 集电级 电流 (毫安)
时间 (ns)
ib1 = ib2 = ic / 10
v = 10 v
C
cc
t
s
t
d
t
f
t
r
电源 消耗 vs
包围的 温度
0 25 50 75 100 125 150
0
100
200
300
400
500
600
700
温度 ( c)
p - 电源 消耗 (mw)
D
o
至-92
sot-23
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