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mmbt3904k rev. 一个
mmbt3904k  npn 外延的 硅 晶体管
典型 效能 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 输出 电容 图示 4. 电流 增益 带宽 产品
0.1 1 10 100
0
40
80
120
160
200
240
V
CE
= 1v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
I
C
= 10 i
B
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100
0.1
1
10
I
E
= 0
f = 1mhz
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.1 1 10 100
10
100
1000
V
CE
= 20v
f
T
[mhz],
电流 增益 带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流

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2 www.fairchildsemi.com mmbt3904k rev. 一个 mmbt3904k npn 外延的硅晶体管典型效能特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 3. 输出电容图示 4. 电流增益带宽产品 0.1 1 10 100 0 40 80 120 160 200 240 V CE = 1v h FE , 直流电流增益 I C [a], 集电级电流 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 V CE (sat) V 是 (sat) I C = 10 i B V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 1 10 100 0.1 1 10 I E = 0 f = 1mhz C ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 0.1 1 10 100 10 100 1000 V CE = 20v f T [mhz], 电流增益带宽产品 I C [ma], 集电级电流

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