VVC1电压 控制 结晶 振荡器
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效能 特性
表格 1. 电的 效能
参数 标识 最小值 典型 最大 单位
频率 f
O
1.544 65.536 MHz
供应 电压
1
(+5.0v)
(+3.3v)
V
DD
4.750
3.135
5.0
3.3
5.250
3.465
V
供应 电流(+5.0 v)
(+3.3 v)
I
DD
55
40
毫安
输出 逻辑 水平
输出 逻辑 高
2
输出 逻辑 低
2
V
OH
V
OL
0.9*v
DD
0.1v
DD
V
V
转变 时间
上升 时间
2
下降 时间
2
t
R
t
F
5
5
ns
ns
对称 或者 职责 循环
3
SYM 45 50 55 %
运行 温度 (
订货 选项
) 0/70 或者–40/85
°
C
总的 拉 范围 (
订货 选项)
或者
绝对 拉 range
±50,±100 或者±150
±50,±80 或者±100
ppm
测试 情况 为 apr (+5v 选项) V
C
0.5 4.5 V
测试 情况 为 apr (+3.3v 选项) V
C
0.3 3.0 V
增益 转移 (看 图示 3) 积极的 ppm/v
控制 电压 泄漏 电流 I
VCXO
±
1 uA
控制电压 带宽 (-3db) BW 10 kHz
包装 大小 5.0 x7.0x 1.8 mm
1. 一个 0.01uf 和 一个 0.1uf 电容 应当 是 located 作 关闭 至 这 供应 作 可能 (至 地面) 是 推荐.
2. 图示 1 定义 这些 参数. 图示 2 illustrates 这 equivalent five 门 ttl 加载 和 运行 情况 下面 这个
这些 参数 是 测试 和 指定.
3. 对称 是 定义 作 (在 时间/时期 和 vs= 1.4 v 为 ttl 和 vs=2.5 v 为 cmos, 5 volt operation, 和 vs=1.65v
为 3.3 volt operation.
图示 1. 输出 波形 图示 2. 典型 输出 测试 情况 (25
±
5°c)
80
%
Vs
20%
t
F
t
R
时期
在 时间
+
-
+
-
I
C
V
C
4
3
.1
µ
F .01
µ
F
15pF
2 56
1
I
DD
650
Ω
V
DD
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