89C51ED2_集成电路资料查询网

at89c51rd2 / at89c51ed2QualPack
4rev. 0–2003 july
3 技术  信息
3.1 薄脆饼 处理 技术
处理 类型 (名字): 逻辑 0.35um 和 embedded flash (at56800)
 
根基 材料: epitaxied 硅
 薄脆饼 厚度 (最终) 475 um
 薄脆饼 直径 150 mm
号码 的 masks 27
 
门 oxide (逻辑 晶体管)
 材料 硅 dioxide
 厚度 68A
 
门 oxide (非易失存储器 cell)
 材料 硅 dioxide
 厚度 390A
Polysilicon
 号码 的 layers 2
 厚度 poly 1 1400a amorphous
 厚度 poly 2 3200A
 
Metal
 号码 的 layers 3
 材料: 铝 铜
 layer 1 厚度 5000A
 layer 2 厚度 5000A
 layer 3 厚度 8000A
Passivation
 材料 oxide hdp/ oxy-渗氮
厚度     21000A

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at89c51rd2 / at89c51ed2QualPack 4rev. 0–2003 july 3 技术信息 3.1 薄脆饼处理技术处理类型 (名字): 逻辑 0.35um 和 embedded flash (at56800) 根基材料: epitaxied 硅薄脆饼厚度 (最终) 475 um 薄脆饼直径 150 mm 号码的 masks 27 门 oxide (逻辑晶体管) 材料硅 dioxide 厚度 68A 门 oxide (非易失存储器 cell) 材料硅 dioxide 厚度 390A Polysilicon 号码的 layers 2 厚度 poly 1 1400a amorphous 厚度 poly 2 3200A Metal 号码的 layers 3 材料: 铝铜 layer 1 厚度 5000A layer 2 厚度 5000A layer 3 厚度 8000A Passivation 材料 oxide hdp/ oxy-渗氮厚度 21000A

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