SLVS312A
–
july 2000
–
修订 12月 2002
10
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
典型 特性
图示 6
V
DD
= 4 v
PSON
= 地
2
1
0
0 25 50 75 100 150
–
低-水平的 输出 电压
–
V
3
4
低-水平的 输出 电压 (pgo)
vs
低-水平的 输出 电流 (pgo)
125
I
OL
–
低-水平的 输出 电流
–
毫安
V
OL
T
一个
=
–
40
°
C
T
一个
= 0
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
图示 7
400
200
0
0 5 10 15 20
–
低-水平的 输出 电压
–
mV
600
低-水平的 输出 电压 (pgo)
vs
低-水平的 输出 电流 (pgo)
I
OL
–
低-水平的 输出 电流
–
毫安
V
OL
T
一个
=
–
40
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
V
DD
= 4 v
PSON
= 地
exploded 视图
T
一个
= 0
°
C
300
100
500
0.994
–
40
–
15 10 35
0.996
0.997
normalized sense 门槛 电压
vs
自由-空气 温度 在 v
DD
0.999
60 85
0.998
0.995
C
°
T
一个
–
自由-空气 温度
–
°
C
1.001
1
V
DD
= 4 v
PSON
= 地
normalized 输入 门槛 电压
–
vit(ta)/vit(25 )
图示 8