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资料编号:1054414
 
资料名称:2SK3324
 
文件大小: 69.49K
   
说明
 
介绍:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
 
 


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数据 薄板 d14203ej2v0ds00
2
2SK3324
电的 特性 (t
一个
= 25 °c)
特性 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 泄漏 电流 I
DSS
100
µ
AV
DS
= 900 v, v
GS
= 0 v
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
±100 nA V
GS
= ±30 v, v
DS
= 0 v
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
2.5 3.5 V V
DS
= 10 v, i
D
= 1.0 毫安
向前 转移 admittance | y
fs
| 2.5 3.3 S V
DS
= 20 v, i
D
= 3.0 一个
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)
2.5 2.8
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个
输入 电容 C
iss
1000 pF
输出 电容 C
oss
200 pF
反转 转移 电容 C
rss
42 pF
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 0 v,
f = 1 mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
17 ns
上升 时间 t
r
38 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
57 ns
下降 时间 t
f
33 ns
V
DD
= 150 v,
I
D
= 3.0 一个,
V
gs(在)
= 10 v,
R
G
= 10
Ω,
R
L
= 10
总的 门 承担 Q
G
32 nC
门 至 源 承担 Q
GS
5nC
门 至 流 承担 Q
GD
20 nC
V
DD
= 450 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 6.0 一个
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
0.9 V I
F
= 6.0 一个, v
GS
= 0 v
反转 恢复 时间 t
rr
1.9
µ
s
反转 恢复 承担 Q
rr
9.0
µ
C
I
F
= 6.0 一个, v
GS
= 0 v,
di/dt = 50 一个/
µ
s
测试 电路 1 avalanche 能力
R
G
= 25
50
PG
L
V
DD
V
GS
= 20
0 v
BV
DSS
I
I
D
V
DS
开始 t
ch
V
DD
d.u.t.
测试 电路 3 门 承担
测试 电路 2 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1
s
µ
职责 循环
1 %
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10 %
90 %
V
GS
(在)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10 %
τ
I
D
0
t
t
pg.
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
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