半导体
MSM7512B
5/12
绝对 最大 比率
推荐 运行 情况
电的 特性
直流 特性
* 内部 牵引的-向上 管脚
电源 供应 电压 V
DD
ta = 25°c,
和 遵守 至 地
–0.3 至 +7 V
输入 电压 V
在
–0.3 至 v
DD
+ 0.3 V
存储 温度 T
STG
–55 至 +150 °C—
标识 情况 比率 UnitParameter
( v
DD
= +2.7 v 至 +5.5 v, 顶 = –40°c 至 +85°c)
电源 供应 电流
I
DD
运行 模式 — 5.0 10.0 毫安
I
SS
电源 向下 模式 — 5.0 20.0
m
一个
数字的 输入 电压
V
IL
— 0 — 0.8 V
V
IH
— 2.2 — V
DD
V
数字的 输入 泄漏 电流
I
IL
V
I
= 0 v * –80 — 10
m
一个
I
IH
V
I
= 5 v –10 — 10
m
一个
数字的 输出 电压
V
OL
I
OL
= 1.6 毫安 0 0.2 0.4 V
V
OH
I
OH
= –0.4 毫安 2.4 — V
DD
V
标识 情况 最小值 典型值 最大值 UnitParameter
unitmax.典型值.最小值.conditionsymbol
电源 供应 电压 v+5.5—+2.7—v
DD
运行 温度 °C+85—–40—T
运算
输入 时钟 频率 %+0.1—–0.1to 3.579545 mhzf
CLK
V
DD
绕过 电容
m
F——10V
DD
– gndc
VDD
振动 频率 mhz—3.579545———
频率 背离 ppm+100—–100+25°c ±5°c—
温度 特性 ppm+50—–50–40°c 至 +85°c—
相等的 序列 阻抗
W
50————
加载 电容 pF—16———
结晶
参数
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