2 Am29F010B
一般 描述
这 am29f010b 是 一个 1 mbit, 5.0 volt-仅有的 flash
memory 有组织的 作 131,072 字节. 这 am29f010b
是 offered 在 32-管脚 pdip, plcc 和 tsop 包装.
这 字节-宽 数据 呈现 在 dq0-dq7. 这 de-
viceisdesignedtobeprogrammed在-系统 和 这
标准 系统 5.0 volt v
CC
供应. 一个 12.0 volt v
PP
是 不
必需的 为 程序 或者 擦掉 行动. 这 设备 能
也 是 编写程序 或者 erased 在 标准 非易失存储器
programmers.
这个 设备 是 制造的 使用 amd’s 0.32 µm pro-
cess 技术, 和 提供 所有 这 特性 和 益处
的 这 am29f010 和 am29f010a.
这 标准 设备 提供 进入 时间 的 45, 55, 70,
90, 和 120 ns, 准许 高-速 微处理器
至 运作 没有 wait states. 至 eliminate 总线 conten-
tion 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce#), 写
使能 (we#) 和 输出 使能 (oe#) 控制.
这 设备 需要 仅有的 一个
单独的 5.0 volt 电源 sup-
ply
为 两个都 读 和 写 功能. 内部
发生 和 管制 电压 是 提供 为 这
程序 和 擦掉 行动.
这 设备 是 全部地 command 设置 兼容 和 这
电子元件工业联合会 单独的-电源-供应 flash 标准
. com-
mands 是 写 至 这 command 寄存器 使用
标准 微处理器 写 timings. 寄存器 con-
tents 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态 机器 那
控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写
循环 也 内部 获得 地址 和 数据 需要
为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读
数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至 读 从 其它
flash 或者 非易失存储器 设备.
设备 程序编制 occurs 用 executing 这 程序
command sequence. 这个 invokes 这
embedded pro-
gram
algorithm—an 内部的 algorithm 那
automatically 时间 这 程序 脉冲波widths和
verifies 恰当的 cell 余裕.
设备 erasure occurs 用 executing 这 擦掉 com-
mand sequence. 这个 invokes 这
embedded 擦掉
algorithm—an 内部的 algorithm 那 automatically
preprograms 这 排列 (如果 它 是 不 already 编写程序)
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这
设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell 余裕.
这 host 系统 能 发现 whether 一个 程序 或者
擦掉 运作 是 完全 用 读 这 dq7 (data#
polling) 和 dq6 (toggle)
状态 位
.之后 一个 程序
或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这 设备 是 准备好
至 读 排列 数据 或者 接受 另一 command.
这
sector 擦掉 architecture
准许 记忆 sectors
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响 这
数据 内容 的 其它 sectors. 这 设备 是 erased
当 运输 从 这 工厂.
这
硬件 数据 保护
measures 包含 一个
低 v
CC
探测器 automatically inhibits 写 行动
在 电源 transitions. 这
硬件 sector protec-
tion
特性 使不能运转 两个都 程序 和 擦掉 行动
在 任何 结合体 的 这 sectors 的 记忆, 和 是 im-
plemented 使用 标准 非易失存储器 programmers.
这 系统 能 放置 这 设备 在 这
备用物品 模式
.
电源 消耗量 是 非常 减少 在 这个 模式.
amd’s flash 技术 结合 年 的 flash
记忆 制造 experience 至 生产 这
最高的 水平 的 质量, 可靠性, 和 费用
成效. 这 设备 用电气 erases 所有 位
在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordheim
tunneling. 这 字节 是 编写程序 一个 字节 在 一个
时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot
electron injection.
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