hitachi igbt 单元 / 硅 n-频道 igbt
MBM300GR12
[rated 300a/1200v, 双-包装 type]
特性 外形 绘画
·
低 饱和 电压 和 高 速.
·
低 转变-止 切换 丧失.
·
低 噪音 预定的 至 build-在 自由-转动 二极管.
(过激 s
oft 和 fast 恢复 diode (usfd))
·
高 可靠性 结构.
·
分开的 热温 下沉 (terminals 至 根基).
电路 图解
绝对 最大 比率(t
C
=25°c)
Item 标识 单位 Value
集电级-发射级 电压 V
CES
V 1200
门-发射级 电压 V
GES
V
±
20
直流 I
C
300
集电级 电流
1ms I
CP
一个
600
直流 I
F
300
*1
向前 电流
1ms I
FM
一个
600
集电级 电源 消耗 P
C
W 1710
接合面 温度 T
j
°
C
-40 ~ +150
存储 温度 T
stg
°
C
-40 ~ +125
分开 电压 V
iso
V
RMS
2500(交流 1 分钟)
Terminals
2.94
(30)
*2
screw torque
挂载
-
N·m
(k
gf·cm)
2.94
(30)
*3
注释;
*1: rms 电流 的 二极管
£
90 arms
*2, *3 : 推荐 值 2.45 n·m (25 kgf·cm)
CHaracteristics (t
C
=25°c)
Item 标识 单位 最小值 Typ. 最大值 测试 情况
集电级-发射级 截-止 电流 I
CES
毫安
--
1.0 V
CE
=1200v, v
GE
=0V
门-发射级 泄漏 电流 I
GES
nA
--
±
500 V
GE
=
±
20v, v
CE
=0V
集电级-发射级 饱和 电压 V
CE(sat)
V
-
2.2 2.8 I
C
=300a, v
GE
=15V
门-发射级 门槛 电压 V
ge(to)
V
--
10 V
CE
=5v, i
C
=300mA
输入 电容 C
ies
pF
-
28000
-
V
CE
=10v, v
GE
=0v, f=1mhz
上升 时间 t
r
-
0.25 0.7
转变-在 时间 t
在
-
0.4 0.9
下降 时间 t
f
-
0.2 0.35
切换 时间
转变-止 时间 t
止
m
s
-
0.7 1.1
V
CC
=600V
R
L
=2.0
W
R
G
=3.9
W
*4
V
GE
=
±
15V
顶峰 向前 电压 漏出 V
FM
V
-
2.5 3.5 I
F
=300a, v
GE
=0V
反转 恢复 时间 t
rr
m
s
--
0.35
I
F
=300a, v
GE
=-10v, di/dt=400a/
m
s
IGBT R
th(j-c)
0.073
热的 阻抗
FWD R
th(j-c)
°
c/w
--
0.18
接合面 至 情况
注释; *4:r
G
值 是 这 测试 情况’s 值 为 decision 的 这 切换 时间, 不 推荐 值, 请 决定
这 合适的 r
G
值 之后 这 度量 的 切换 波形 (越过 电压, 等.) 和 appliance 挂载.
remark; 这 规格 给 在此处, 是 主题 至 改变 没有 较早的 注意 至 改进 产品 特性.
25 25
93
110
62
80
15
27
18 18 18
3-m6
4-
φ
6.5
‚4-快-在
终端 #110
6.5
30
7
12
36
46.5
φ
0.8
G1E1 e2 g2
C2E1
C1E2
单位 在 mm
规格. 非. igbt-sp-99025(r1)
C2E1
E2
C1
G2
E2
E1
G1
重量 : 460g
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