3
mpsa42 / mmbta42 / pzta42
电的 特性
ta = 25
°
c 除非 否则 指出
止 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 voltage* I
C
= 1.0 毫安, i
B
= 0 300 V
V
(br)cbo
集电级-base 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个, i
E
= 0
300 V
V
(br)ebo
发射级-base 损坏 电压
I
E
= 100
µ
一个, i
C
= 0
6.0 V
I
CBO
集电级-截止 电流 V
CB
= 200 v, i
E
= 0 0.1
µ
一个
I
EBO
发射级-截止 电流 V
EB
= 6.0 v, i
C
= 0 0.1
µ
一个
小 信号 特性
在 characteristics*
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1.0 毫安, v
CE
= 10 v
I
C
= 10 毫安, v
CE
= 10 v
I
C
= 30 毫安, v
CE
= 10 v
25
40
40
V
ce(
sat
)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 20 毫安, i
B
= 2.0 毫安 0.5 V
V
是(
sat
)
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 20 毫安, i
B
= 2.0 毫安 0.9 V
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
额外的刺激 模型
npn (是=34.9f xti=3 eg=1.11 vaf=100 bf=2.65k ne=1.708 ise=16.32p ikf=23.79m xtb=1.5 br=9.769 nc=2 isc=0
ikr=0 rc=7 cjc=14.23p mjc=.5489 vjc=.75 fc=.5 cje=49.62p mje=.4136 vje=.75 tr=934.3p tf=1.69n itf=5
vtf=20 xtf=150 rb=10)
f
T
电流 增益 - 带宽 产品 I
C
= 10 毫安, v
CE
= 20 v,
f = 100 mhz
50 MHz
C
cb
集电级-base capacitance V
CB
= 20 v, i
E
= 0, f = 1.0 mhz 3.0 pF
npn 高 电压 放大器
(持续)
典型 特性
Collector-发射级 饱和
电压vs collect或者Current
0.1 1 10 100
0.0 5
0.1
0.1 5
0.2
0.2 5
0.3
i - 集电级 电流 (毫安)
V - colle CTOR-发射级电压 (v)
CESAT
C
β
= 1 0
- 40 °c
25 °c
125 °c
直流 电流 增益
vs 集电级 电流
0. 1 1 10 1 00
20
40
60
80
100
120
140
I -C OLL EC TOr cu R REN T (m 一个)
h - 直流 电流 增益
FE
- 40
°
C
25
°
C
C
v =5V
CE
125
°
C
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