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初步的 信息 rev. 00H
07/12/06
IS42S32400B
交流 电的 特性
(1,2,3)
-6 -7
标识 Parameter 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
CK3
时钟 循环 时间
CAS
latency = 3 6 — 7 — ns
t
CK2
CAS
latency = 2 8 — 10 — ns
t
AC3
进入 时间 从 clk
CAS
latency = 3 — 5.4 — 5.4 ns
t
AC2
CAS
latency = 2 — 6.5 — 6.5 ns
t
CHI
clk 高 水平的 宽度 2.5 — 2.5 — ns
t
CL
clk 低 水平的 宽度 2.5 — 2.5 — ns
t
OH3
输出 数据 支撑 时间
CAS
latency = 3 2.7 — 2.7 — ns
t
OH2
CAS
latency = 2 2.7 — 3 — ns
t
LZ
输出 低 阻抗 时间 0 — 0 — ns
t
HZ
输出 高 阻抗 时间 2.7 5.4 2.7 5.4 ns
t
DS
输入 数据 建制 时间
(2)
1.5 — 1.5 — ns
t
DH
输入 数据 支撑 时间
(2)
0.8 — 0.8 — ns
t
作
地址 建制 时间
(2)
1.5 — 1.5 — ns
t
AH
地址 支撑 时间
(2)
0.8 — 0.8 — ns
t
CKS
cke 建制 时间
(2)
1.5 — 1.5 — ns
t
CKH
cke 支撑 时间
(2)
0.8 — 0.8 — ns
t
CS
command 建制 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm)
(2)
1.5 — 1.5 — ns
t
CH
command 支撑 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm)
(2)
0.8 — 0.8 — ns
t
RC
command 时期 (ref 至 ref / act至 act) 60 — 67.5 — ns
t
RAS
command 时期 (act 至 前) 42
100K
45
100K
ns
t
RP
command 时期 (前 至 act) 18 — 20 — ns
t
RCD
起作用的 command 至 读 / 写 command 延迟 时间 18 — 20 — ns
t
RRD
command 时期 (act [0] 至 act[1]) 12 — 14 — ns
t
DPL
输入 数据 至 precharge 12 — 14 — ns
command 延迟 时间
t
DAL
输入 数据 至 起作用的 / refresh
30
—
34
—ns
command 延迟 时间 (在 自动-precharge)
t
MRD
模式 寄存器 程序 时间 12 — 14 — ns
t
DDE
电源 向下 exit 建制 时间 6 — 7 — ns
t
XSR
自-refresh exit 时间 70 — 70 — ns
t
T
转变 时间 1 10 1 10 ns
t
REF
refresh 循环 时间 (4096) — 64 — 64 ms
注释:
1. 这 电源-在 sequence 必须 是 executed 在之前 开始 记忆 运作.
2. 量过的 和 t
T
= 1 ns. 如果 时钟 rising 时间 是 变长 比 1ns, (t
R
/2 - 0.5) ns 应当 是 增加 至 这 参数.
3.
这 涉及 水平的 是 1.4v 当 测量 输入 信号 定时. 上升 和 下降 时间 是 量过的 在 v
IH
(最小值.) 和 v
IL
(最大值).
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