technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
FP50R12KE3
modul 分开/ 单元 分开
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f = 50 hz, t = 1 最小值
ntc 连接 至 baseplate
V
ISOL
2,5 kV
elektrische eigenschaften / 电的 properties
charakteristische werte / 典型的 值
二极管 gleichrichter/ 二极管 整流器
最小值 典型值 最大值
Durchlaßspannung
向前 电压
T
vj
= 150°c, i
F
=
50 一个
V
F
-1-v
Schleusenspannung
门槛 电压
T
vj
= 150°c V
(至)
- - 0,8 V
Ersatzwiderstand
斜度 阻抗
T
vj
= 150°c r
T
- - 6,5
m
Ω
Sperrstrom
反转 电流
T
vj
= 150°c, v
R
=
1600 v
I
R
-3-毫安
modul leitungswiderstand, anschlüsse-碎片
含铅的 阻抗, terminals-碎片
T
C
= 25°c R
aa'+cc'
- 4 -
m
Ω
晶体管 wechselrichter/ 晶体管 反相器
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
V
GE
= 15v, t
vj
= 25°c, i
C
=
50 一个
V
ce sat
- 1,7 2,15 V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15v, t
vj
= 125°c, i
C
=
50 一个 - 2 - V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
V
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c, i
C
=
2,0 毫安
V
ge(至)
5,0 5,8 6,5 V
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz, t
vj
= 25°c
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v
C
ies
- 3,5 - nF
kollektor-发射级 reststrom
集电级-发射级 截 止 电流
V
GE
= 0v, t
vj
= 25°c, v
CE
=
1200 v
I
CES
--5ma
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
=20v, t
vj
=25°C I
GES
- - 400 nA
einschaltverzögerungszeit (ind. last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
转变 在 延迟 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
18 ohm
t
d,在
-85-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm - 90 - ns
anstiegszeit (induktive last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
上升 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
18 ohm
t
r
-30-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm - 45 - ns
abschaltverzögerungszeit (ind. last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
转变 止 延迟 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
18 ohm
t
d,止
- 420 - ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm - 520 - ns
fallzeit (induktive last)
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
下降 时间 (inductive 加载)
V
GE
= ±15v, t
vj
= 25°c, r
G
=
18 ohm
t
f
-65-ns
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm - 90 - ns
einschaltverlustenergie pro puls
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
转变-在 活力 丧失 每 脉冲波
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm
E
在
- 6,6 - mWs
L
σ
=
45 nh
abschaltverlustenergie pro puls
I
C
= i
Nenn
, v
CC
=
600 v
转变-止 活力 丧失 每 脉冲波
V
GE
= ±15v, t
vj
= 125°c, r
G
=
18 ohm
E
止
- 5,8 - mWs
L
σ
=
45 nh
Kurzschlußverhalten
t
P
≤
10µs, v
GE
≤
15v, r
G
=
18 ohm
sc 数据
T
vj
≤
125°c,V
CC
=
720 v
I
SC
- 200 - 一个
2(11)
db-pim-igbt3_2serie.xls
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