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flashflex51 mcu
sst89c54 / sst89c58 / sst89c59
初步的 规格
© 1998 硅 存储 技术, 公司 这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司 flashflex51 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
325-16 11/98 这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
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特性:
• multi-目的 8-位 8051 兼容
微控制器 单位 和 embedded
superflash 记忆 为 flexibility
• 全部地 软件 和 开发 toolset
兼容 作 好 作 管脚-为-管脚 包装
兼容 至 标准 8xc5x 微控制器
• 256 字节 寄存器/数据 内存
• 20/36/64 kbyte embedded 高 效能
有伸缩性的 superflash
可擦可编程只读存储器
– 一个 16/32/60 kbyte 块 (128-字节
sector 大小)
– 一个 4 kbyte 块 (64-字节 sector 大小)
– 单独的 块 安全 锁
– 87c5x programmer 兼容
– 主控 在-系统 程序编制 (isp) 模式
– concurrently 可编程序的
• 支持 外部 地址 范围 向上 至
64 kbyte 的 程序 和 数据 记忆
• 高 电流 驱动 在 端口 1 (5, 6, 7) 管脚
• 三 16-位 计时器/计数器
• 可编程序的 串行 端口 (uart)
• 六 中断 来源 在 2 priority 水平
• 可选择的 看门狗 计时器 (wdt)
• 四 8-位 i/o 端口 (32 i/o pins)
• ttl- 和 cmos-兼容 逻辑 水平
• 扩展 电源-节省 模式
– 空闲 模式
– 电源 向下 模式
– 备用物品 模式
• 0 至 33 mhz 运作 在 5 伏特 供应
• 低 电压 (3v) 运作 (0 至 12 mhz)
• pdip-40, plcc-44 和 tqfp-44 包装
• 温度 范围:
– 标准 (0°c 至 +70°c)
– 工业的 (-40°c 至 +85°c)
产品 描述
sst89c54, sst89c58 和 sst89c59 是 members 的
这 flashflex51 家族 的 8-位 微控制器. 这
flashflex51 家族 是 一个 家族 的 embedded
微控制器 产品 设计 和 制造的 在
这 状态-的-这-艺术 superflash cmos 半导体
处理 技术.
作 一个 成员 的 这 flashflex51 控制 家族, 这
sst89c54/58/59 使用 这 一样 powerful 操作指南
设置, 有 这 一样 architecture, 和 是 管脚-为-管脚 compat-
ible 和 标准 8xc5x 微控制器 设备.
sst89c54/58/59 comes 和 20/36/64 kbyte 的
整体的 在-碎片 flash 可擦可编程只读存储器 程序 记忆
使用 这 专利的 和 专卖的 硅 存储
技术, 公司 (sst) cmos superflash 可擦可编程只读存储器
技术 和 这 sst 地方 enhancing tunneling
injector 分割-门 记忆 cells. 这 superflash
记忆 是 partitioned 在 2 独立 程序
记忆 blocks. 这 更小的 16/32/60 kbyte superflash
块 occupies 这 标准 8xc54/58/59’s 16/32/60
kbyte 的 内部的 只读存储器 空间 和 这 upper 4 kbyte
SuperFlash
块 occupies 这 upper 大多数 的 这 64
kbyte 地址 空间 为 这 8xc5x architecture. 这
flash 记忆 blocks 能 是 编写程序 通过 一个 标准
87c5x otp 非易失存储器 programmer 或者 一个 标准 flash
可擦可编程只读存储器 记忆 programmer 合适的 和 一个 特定的
adapter 和 firmware 为 sst89c54/58/59 设备.
在 这 电源-在 重置, 这 sst89c54/58/59 能 是
配置 作 一个 主控 至 一个 源 代号 存储 或者 作 一个
从动装置 至 一个 外部 host 为 在-系统-程序编制
(isp) 运作. sst89c54/58/59 是 设计 至 是
编写程序 “in-place” 和 “in-field” 在 这 打印 cir-
cuit 板 (pcb) 组装 为 最大 flexibility.
这 高级地 可依靠的, 专利的 superflash 技术 和
记忆 cell 有 一个 号码 的 重要的 有利因素 为
designing 和 制造 flash eeproms, 当
对照的 和 这 薄的 oxide stacked 门 或者 二 transis-
tor approaches. 这些 有利因素 translate 在 signifi-
cant 费用 和 可靠性 益处 为 我们的 客户.
在 增加 至 20/36/64 kbyte 的 superflash 可擦可编程只读存储器
程序 记忆 在-碎片, 这 sst89c54/58/59 能
地址 向上 至 64 kbyte 的 程序 记忆 外部 至
这 碎片. 这 sst89c54/58/59 微控制器 有
256 x 8 位 的 在-碎片 内存. 向上 至 64 kbyte 的 外部
数据 记忆 (内存) 能 是 addressed.
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