DS1321
6 的 12
绝对 最大 ratings*
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地面 -0.5v 至 +7.0v
运行 温度 -40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 -55
°
c 至 +125
°
C
焊接 温度 260
°
c 为 10 秒
*
这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 可靠性.
推荐 直流 运行 情况
(-40°c 至 +85°c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
供应 电压 tol=地 V
CCI
4.75 5.0 5.5 V 1
供应 电压 tol=v
CCO
V
CCI
4.5 5.0 5.5 V 1
电池 供应 电压 V
BAT
2.0 3.0 6.0 V 1
逻辑 1 输入 V
IH
2.0 V
CCI
+0.3 V 1, 12
逻辑 0 输入 V
IL
-0.3 +0.8 V 1, 12
直流 电的 特性
(-40°c 至 +85°c; v
CCI
≥
V
CCTP
)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
运行 电流 (ttl 输入) I
CC1
1 1.5 毫安 2
运行 电流 (cmos 输入) I
CC2
100 150 µA 2, 5
内存 供应 电压 V
CCO
V
CC1
-0.2
V1
内存 供应 电流
(v
CCO
≥
V
CCI
-0.2v)
I
CCO1
185 毫安 3
供应 电流
(v
CCO
≥
V
CCI
-0.3v)
I
CCO2
260 毫安 4
V
CC
trip 要点 (tol=地) V
CCTP
4.50 4.62 4.75 V 1
V
CC
trip 要点 (tol=v
CCO
)v
CCTP
4.25 4.37 4.50 V 1
V
BAT
trip 要点 V
BTP
2.50 2.6 2.70 V 1
输出 电流 @ 2.2v I
OH
-1 毫安 7, 10
输出 电流 @ 0.4v I
OL
4 毫安 7, 10
输入 泄漏 I
IL
-1.0 +1.0 µA
输出 泄漏 I
LO
-1.0 +1.0 µA
电池 monitoring 测试 加载 R
INT
0.8 1.2 1.5 M
Ω
直流 电的 特性
(-40°c 至 +85°c; v
CCI
< v
BAT
; v
CCI
< v
CCTP
)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
电池 电流 I
BAT
100 nA 2
电池 backup 电流 I
CCO3
500 µA 6
供应 电压 V
CCO
V
BAT
-0.2
V1
CEO
输出
V
OHL
V
BAT
-0.2
V 1, 8
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