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资料编号:1056976
 
资料名称:2SK2462
 
文件大小: 114367K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2462
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
向前 偏差 safe 运行 范围
V
DS
-
流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
1
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
T
C
- 情况 温度 - ˚c
dt - percentage 的 评估 电源 - %
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
T
C
- 情况 温度 - ˚c
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
20 40 60 80 100 120 140 160
70
60
50
40
30
20
10
0.1
1
1
10
100
10 100 1000
T
C
= 25
˚C
单独的 脉冲波
0
4
6
8
10
20
30
40
51015
10
100
1000
搏动
50
2
0
I
d(脉冲波)
1 ms
pw=10 s
电源 消耗 限制
R
ds(在)
限制
(在 v
GS
= 10 v)
搏动
V
GS
= 4 v
V
GS
= 6 v
V
GS
= 10 v
直流
200ms
I
d(直流)
V
DS
=10 v
100 s
µ
µ
10ms
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
125 ˚c
0
20 40 60 80 100 120 140 160
20
40
60
80
100
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