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mos 地方 效应 晶体管
描述
这 2sk2485 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管 设计
为 高 电压 切换 产品.
特性
•
低 在-阻抗
R
ds (在)
= 2.8
Ω
(v
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个)
•
低 c
iss
C
iss
= 1 200 pf 典型值
•
高 avalanche 能力 比率
绝对  最大  比率  (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSS
900 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
30 V
流 电流 (直流) I
d (直流)
±
6.0 一个
流 电流 (脉冲波)
*
I
d (脉冲波)
±
12 一个
总的 电源 消耗 (t
c
= 25 ˚c) P
T1
100 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c) P
T2
3.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
单独的 avalanche 电流
**
I
作
6.0 一个
单独的 avalanche 活力
**
E
作
42.3 mJ
*
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
**
开始 t
ch
= 25 ˚c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20 v
→
0
2SK2485
切换
n-频道  电源  mos  场效应晶体管
工业的  使用
文档 非.  d10279ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行  8月 1995 p
打印 在 日本
包装 维度
(在 millimeter)
1.0±0.2
123
1. 门
2. 流
3. 源
4. fin (流)
mp-88
4
15.7 最大值
3.2±0.2
2.8±0.10.6±0.12.2±0.2
5.45 5.45
4.7 最大值
1.5
1.06.0
7.0
19 最小值 20.0±0.2
3.0±0.2
4.5±0.2
身体
二极管
源
流
门
©
1995
数据  薄板

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mos 地方效应晶体管描述这 2sk2485 是 n-频道 mos 地方效应晶体管设计为高电压切换产品. 特性 • 低在-阻抗 R ds (在) = 2.8 Ω (v GS = 10 v, i D = 3.0 一个) • 低 c iss C iss = 1 200 pf 典型值 • 高 avalanche 能力比率绝对最大比率 (t 一个 = 25 ˚c) 流至源电压 V DSS 900 V 门至源电压 V GSS ± 30 V 流电流 (直流) I d (直流) ± 6.0 一个流电流 (脉冲波) * I d (脉冲波) ± 12 一个总的电源消耗 (t c = 25 ˚c) P T1 100 W 总的电源消耗 (t 一个 = 25 ˚c) P T2 3.0 W 频道温度 T ch 150 ˚C 存储温度 T stg –55 至 +150 ˚C 单独的 avalanche 电流 I 作 6.0 一个单独的 avalanche 活力 E 作 42.3 mJ * PW ≤ 10 µ s, 职责循环 ≤ 1 % ** 开始 t ch = 25 ˚c, r G = 25 Ω , v GS = 20 v → 0 2SK2485 切换 n-频道电源 mos 场效应晶体管工业的使用文档非. d10279ej1v0ds00 (1st 版本) 日期发行 8月 1995 p 打印在日本包装维度 (在 millimeter) 1.0±0.2 123 1. 门 2. 流 3. 源 4. fin (流) mp-88 4 15.7 最大值 3.2±0.2 2.8±0.10.6±0.12.2±0.2 5.45 5.45 4.7 最大值 1.5 1.06.0 7.0 19 最小值 20.0±0.2 3.0±0.2 4.5±0.2 身体二极管源流门 © 1995 数据薄板

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