1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK2070
n-频道 mos 场效应晶体管
为 高-速 切换
包装 维度 (在 mm)
7.0 最大值
1.2
2.0
9.0 最大值.12.0 最小值
0.55 ±0.1
0.8 ±0.1
0.6 ±0.1
3.0 最大值
0.6 ±0.1
0.6 ±0.1
1.7 1.7
1.5
4.0 最大值
G D S
相等的 电路
源 (s)
内部的
二极管
门
保护
二极管
门 (g)
流 (d)
管脚 连接
s: 源
d: 流
g: 门
这 2sk2070 是 一个 n-频道 mos 场效应晶体管 的 一个 vertical 类型 和
是 一个 切换 元素 那 能 是 直接地 驱动 用 这 输出 的
一个 ic 运行 在 5 v.
这个 产品 有 一个 低 在 阻抗 和 superb 切换
特性 和 是 完美的 为 驱动 这 actuators, 此类 作
发动机 和 直流/直流 转换器.
特性
• 新 包装 intermediate 在 小-信号 和 电源
模型
• 能 是 直接地 驱动 用 输出 的 5-v ic
• 低 在 阻抗
R
ds(在)
= 0.45
Ω
最大值 @v
GS
= 4 v, i
D
= 1.0 一个
R
ds(在)
= 0.35
Ω
最大值 @v
GS
= 10 v, i
D
= 1.0 一个
文档 非. d11227ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 100 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
1.5 一个
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms,
±
3.0 一个
职责 循环
≤
50 %
总的 电源 消耗 P
T
1.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
: 点此下载
