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资料编号:1057019
 
资料名称:2SJ295
 
文件大小: 77074K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Power Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ495
3
向前 偏差 safe 运行 范围
V
ds -
流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
–1
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
T
C
- 情况 温度 - °c
dt - percentage 的 评估 电源 - %
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
T
C
- 情况 温度 - °c
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
20
40
60
80
100
40 60 80 100 120 140 160
35
30
25
20
15
10
5
–1
–0.1
–10
–100
–1000
–1 –10 –100
T
C
= 25°c
单独的 脉冲波
0
–4
–6
–8
–100
–10
–100
–1000
搏动
–125
–2
0
搏动
–2
V
GS
= –10 v
–4
T
ch
= –25°c
25°C
125°C
–6 –8
1 ms
电源 消耗 限制
直流
100 ms
I
d(直流)
10 ms
I
d(脉冲波)
R
ds(在)
限制
(在 v
GS
=10 v)
V
DS
= –10 v
–75
–50
–25
500 s
µ
V
GS
= –4 v
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