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资料编号:1057232
 
资料名称:2SK2412
 
文件大小: 112388K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2412
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
向前 偏差 safe 运行 范围
流 电流 vs.
流 至 源 电压
向前 转移 特性
40 60 80 100 120 140 160
20
40
60
80
100
20 40 60 80 100 120 140 160
10
20
30
40
50
100
10
1
1 10 100
搏动
0
2
20
40
60
80
4681012
0
10
48
100
1000
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
V
DS
- 流 至 源 电压 - v V
DS
- 流 至 源 电压 - v
T
c
- 情况 温度 - ˚c
T
c
- 情况 温度 - ˚c
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
dt - percentage 的 评估 电源 - %
I
D
- 流 电流 - 一个
I
D
- 流 电流 - 一个
I
D
- 流 电流 - 一个
0
20
0
1 23 567
0.1
1
R
ds (在)
限制
(在 v
GS
= 10 v)
直流
I
d (脉冲波)
I
d (直流)
T
c
= 25 ˚c
单独的 脉冲波
100 s
电源 消耗 限制
10 ms
1 ms
200 ms
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4 v
V
GS
= 6 v
搏动
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
125 ˚c
pw = 10 s
µ
µ
V
DS
= 10 v
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