¡ 半导体
MSM5416283
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注释: 1. 暴露 在之外 这 "绝对 最大 比率" 将 导致 永久的 损坏
至 这 设备.
2. 所有 电压 是 关联 至 v
SS
.
3. 这些 参数 取决于 在 这 循环 比率.
4. 这些 参数 取决于 在 输出 加载. 指定 值 是 得到 和 这
输出 打开.
5. 一个 最初的 pause 的 200
m
s 是 必需的 之后 电源 向上 followed 用 任何 8
RAS
循环
(
TRG
= "高") 和 任何 8 sc 循环 在之前 恰当的 设备 运作 是 达到.
在 这 情况 的 使用 一个 内部的 refresh 计数器, 一个 最小 的 8
CAS
在之前
RAS
循环 instead 的 8
RAS
循环 是 必需的.
6. 交流 度量 假设 t
T
= 5 ns.
7. V
IH
(最小值.) 和 v
IL
(最大值.) 是 涉及 水平 为 测量 定时 的 输入 信号.
也, 转变 时间 是 量过的 在 v
IH
和 v
IL
.
8. 内存 端口 输出 是 量过的 和 一个 加载 相等的 至 1 ttl 加载 和 50 pf.
dout 涉及 水平 : v
OH
/v
OL
= 2.0 v/0.8 v.
9. sam 端口 输出 是 量过的 和 一个 加载 相等的 至 1 ttl 加载 和 30 pf.
DOUT
涉及 水平 : v
OH
/v
OL
= 2.0 v/0.8 v.
10. t
止
(最大值.), t
OEZ
(最大值.), t
SDZ
(最大值.) 和 t
SEZ
(最大值.) 定义 这 时间 在 这个 这
输出 达到 这 打开 电路 情况, 和 是 不 关联 至 输出 电压
水平. 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
11. 也 t
RCH
或者 t
RRH
必须 是 satisfied 为 一个 读 循环.
12. 这些 参数 是 关联 至
CAS
leading 边缘 的 early 写 循环, 和 至
我们
leading 边缘 在
TRG
控制 写 循环 和 读 modify 写 循环.
13. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和 t
AWD
是 不 restrictive 运行 参数.
它们 是 包含 在 这 数据 薄板 作 电的 特性 仅有的.
如果 t
WCS
≥
t
WCS
(最小值.), 这 循环 是 一个 early 写 循环, 和 这 数据 输出 管脚 将
仍然是 打开 电路 全部地 这 全部 循环; 如果 t
RWD
≥
t
RWD
(最小值.), t
CWD
≥
t
CWD
(最小值.) 和 t
AWD
≥
t
AWD
(最小值.), 这 循环 是 一个 读 modify 写 循环, 和 这 数据
输出 将 包含 数据 读 从 这 选择 cell; 如果 neither 的 这 在之上 sets 的
情况 是 satisfied, 这 情况 的 这 数据 输出 是 indeterminate.
14. 运作 在里面 这 t
RCD
(最大值.) 限制 确保 那 t
RAC
(最大值.) 能 是 符合.
t
RCD
(最大值.) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的: 如果 t
RCD
是 更好 比 这 指定
t
RCD
(最大值.) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用 t
CAC
.
15. 运作 在里面 这 t
RAD
(最大值.) 限制 确保 那 t
RAC
(最大值.) 能 是 符合. t
RAD
(最大值.) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的: 如果 t
RAD
是 更好 比 这 指定 t
RAD
(最大值.) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用 t
AA
.
16. 输入 水平 在 这 交流 测试 是 3.0 v/0 v.
17. 地址 (a0 - a8) 将 是 changed 二 时间 或者 较少 当
RAS
= v
IL
.
18. 地址 (a0 - a8) 将 是 changed once 或者 较少 当
CAS
= v
IH
和
RAS
= v
IL
.
19. 这个 是 有保证的 用 设计. (t
SOH
/t
COH
= t
SCA
/t
CAC
- 输出 转变 时间)
这个 参数 是 不 100% 测试.
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