MSM65P516_集成电路资料查询网

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¡ 半导体
msm65516/65p516
管脚 描述
基本 功能
函数 标识 类型 描述
电源
供应
V
DD
+5v 电源 供应
地
0v 数字的 地面
OSC0
结晶 振荡器 输入/外部 时钟 输入
OSC1
结晶 振荡器 输出
I
O
重置
系统 重置 输入 (程序 开始 从 地址 0040h);
内部的 拉-向上 阻抗
I
EA
程序 记忆 选择 输入 管脚.
"l" 水平的 输入 为 外部 程序 记忆; "h" 水平的 输入 为 内部的
程序 记忆.
I
RD
读 strobe 信号 在 外部 记忆 accesso
ALE 地址 获得 信号 在 外部 记忆 accesso
端口 0 8-位 输入-输出 端口
在 外部 记忆 进入, 变为 地址/数据 总线 为 地址
输出, 操作指南 fetch 或者 数据 读/写 along 和 ale,
RD
和
WR
管脚.
i/o
端口 1 8-位 输入-输出 端口
地址 总线 在 外部 记忆 进入
i/o
端口 2
端口 3
端口 4
端口 5
8-位 输入-输出 端口
¥
4. secondary 功能 显示 在 下列的 表格
是 增加 为 端口 2 和 3.
i/o
振动
控制
端口
端口 6 8-位 输入 porti
—
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6/23 ¡ 半导体 msm65516/65p516 管脚描述基本功能函数标识类型描述电源供应 V DD +5v 电源供应地 0v 数字的地面 OSC0 结晶振荡器输入/外部时钟输入 OSC1 结晶振荡器输出 I O 重置系统重置输入 (程序开始从地址 0040h); 内部的拉-向上阻抗 I EA 程序记忆选择输入管脚. "l" 水平的输入为外部程序记忆; "h" 水平的输入为内部的程序记忆. I RD 读 strobe 信号在外部记忆 accesso ALE 地址获得信号在外部记忆 accesso 端口 0 8-位输入-输出端口在外部记忆进入, 变为地址/数据总线为地址输出, 操作指南 fetch 或者数据读/写 along 和 ale, RD 和 WR 管脚. i/o 端口 1 8-位输入-输出端口地址总线在外部记忆进入 i/o 端口 2 端口 3 端口 4 端口 5 8-位输入-输出端口 ¥ 4. secondary 功能显示在下列的表格是增加为端口 2 和 3. i/o 振动控制端口端口 6 8-位输入 porti — —

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