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MSM7630
¡ 半导体
7/95
只读存储器, sram 进入
参数 标识 情况
单位
最小值 典型值 最大值
(v
DD
= 3.0 至 3.6 v, t
OPE
= –40 至 +85°c)
—
只读存储器
延迟 时间 t
只读存储器
—
20 + 0.5 t
CYC
ns
—
—
SRAM
延迟 时间 t
SRAM
—
20 + 0.5 t
CYC
ns
—
—
RD
脉冲波 宽度 t
w_rd
只读存储器, sram
3
t
至 12
t
进入
11 t
CYC
2
—
WR
脉冲波 宽度 t
w_wr
SRAM
3
t
至 12
t
进入
10.5 t
CYC
1.5
1
一个 至
RD
时间 t
w_ard
只读存储器, sram
5
t
至 12
t
进入
—t
CYC
—
只读存储器, sram
3
t
, 4
t
进入
2
—t
CYC
—
1
一个 至
WR
时间 t
w_awr
SRAM
3
t
至 12
t
进入
—t
CYC
—
1
WR
至
SRAM
时间 t
w_wrsram
SRAM
3
t
至 12
t
进入
—t
CYC
—
—
只读存储器
脉冲波 宽度 t
w_只读存储器
只读存储器
3
t
至 12
t
进入
12 t
CYC
3
—
SRAM
脉冲波 宽度 t
w_sram
SRAM
3
t
至 12
t
进入
12 t
CYC
3
0
wr 至 d 时间 t
w_wrd
SRAM
4
t
至 12
t
进入
—t
CYC
—
SRAM
3
t
进入
1
—t
CYC
—

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MSM7630 ¡ 半导体 7/95 只读存储器, sram 进入参数标识情况单位最小值典型值最大值 (v DD = 3.0 至 3.6 v, t OPE = –40 至 +85°c) — 只读存储器延迟时间 t 只读存储器 — 20 + 0.5 t CYC ns — — SRAM 延迟时间 t SRAM — 20 + 0.5 t CYC ns — — RD 脉冲波宽度 t w_rd 只读存储器, sram 3 t 至 12 t 进入 11 t CYC 2 — WR 脉冲波宽度 t w_wr SRAM 3 t 至 12 t 进入 10.5 t CYC 1.5 1 一个至 RD 时间 t w_ard 只读存储器, sram 5 t 至 12 t 进入 —t CYC — 只读存储器, sram 3 t , 4 t 进入 2 —t CYC — 1 一个至 WR 时间 t w_awr SRAM 3 t 至 12 t 进入 —t CYC — 1 WR 至 SRAM 时间 t w_wrsram SRAM 3 t 至 12 t 进入 —t CYC — — 只读存储器脉冲波宽度 t w_只读存储器只读存储器 3 t 至 12 t 进入 12 t CYC 3 — SRAM 脉冲波宽度 t w_sram SRAM 3 t 至 12 t 进入 12 t CYC 3 0 wr 至 d 时间 t w_wrd SRAM 4 t 至 12 t 进入 —t CYC — SRAM 3 t 进入 1 —t CYC —

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