max792/max820
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微处理器 和 非-易变的
记忆 supervisory 电路
便条 1:
这 最小 运行 电压 是 2.65v; 不管怎样, 这 设备 是 有保证的 至 运作 向下 至 它的 preset 重置 门槛.
便条 2:
拉 重置 在/
INT
在下 60mv 选择 内部的 门槛 模式 和 connects 这 内部的 电压 分隔物 至 这 重置
和 低-线条 comparators. 外部 程序编制 模式 准许 一个 外部 电阻 分隔物 至 设置 这 低-线条 和 重置
门槛 (看 图示 4).
便条 3:
这 碎片-使能 传播 延迟 是 量过的 从 这 50% 要点 在
CE
在 至 这 50% 要点 在
CE
输出.
参数
情况
V
CC
= 5v 或者 v
CC
= 3v
最小值 典型值 最大值 单位
I
下沉
= 3.2ma
I
源
= 1µa
输出 源 电流, v
CC
= 5.5v
V
OD
= 100mv, ovi rising
MR
拉-向上 电流
V
IH
0.75 x v
CC
MR
= 0v
V
CC
= 2.5v
V
CC
= 4.25v
V
IL
0.8
1
V
IH
0.75 x v
CC
CE
在 门槛 电压
V
CC
= 2.55v
V
IL
0.2
V
CE
在 泄漏 电流
50
Ω
源 阻抗 驱动器,
C
加载
= 50pf
无能 模式 ±0.005 ±1 µA
V
CC
= 5v
V
CC
= 3v
V
CC
= 5v 75 150
610
CE
在 至
CE
输出 阻抗
ovi 输入 门槛
使能 模式
V
CC
= 3v 150 300
1.25 1.30 1.35 V
ovi 泄漏 电流
Ω
±0.01 ±25 nA
V
CC
= 5v 0.5 2.5
CE
输出 短的-电路 电流
0.4
OVO
输出 电压
无能 模式,
CE
输出
= 0v
V
CC
= 3v 0.05 0.2 0.4
V
CC
- 1
V
毫安
碎片-使能 传播 延迟
(便条 3)
10 50
813
ns
I
输出
= -100µa V
CC
- 1
碎片-使能 输出 电压
高 (重置 起作用的)
I
输出
= 10µa V
CC
- 0.5
V
重置 起作用的 至
CE
输出 高
V
CC
下落 15 µs
MR
最小 脉冲波 宽度
25 µs
MR
至
重置
传播 延迟
12 µs
MR
门槛 范围
1.1 1.3 1.5 V
V
CC
= 4.25v
至 v
CC
= 5.5v
52380
µA
OVO
短的-电路 电流
µA
13
ovi 至
OVO
延迟
V
OD
= 100mv, ovi 下落 55
µs
电的 特性 (持续)
(v
CC
= 2.65v 至 5.5v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出.)
手工的 重置
碎片-使能 gating
超（电）压 比较器
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