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资料编号:1059947
 
资料名称:2N5339
 
文件大小: 68487K
   
说明
 
介绍:
SILICON NPN TRANSISTOR
 
 


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热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
29.2
175
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止
电流 (i
E
= 0)
V
CB
= 100 v 10
µ
一个
I
CEO
集电级 截-止
电流 (i
B
= 0)
V
CE
= 90 v 100
µ
一个
I
CEX
集电级 截-止
电流 (v
= -1.5v)
V
CE
= 90 v
V
CE
= 90 v t
C
= 150
o
C
10
1
µ
一个
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= -6 v 100
µ
一个
V
ceo(sus)
集电级-发射级
sustaining 电压
I
C
= 50 毫安 100 V
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个 i
B
= 200 毫安
I
C
= 5 一个 i
B
= 500 毫安
0.7
1.2
V
V
V
是(sat)
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个 i
B
= 200 毫安
I
C
= 5 一个 i
B
= 500 毫安
1.2
1.8
V
V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 0.5 一个 v
CE
= 2 v
I
C
= 2 一个 v
CE
= 2 v
I
C
= 5 一个 v
CE
= 2 v
60
60
40
240
f
T
转变 频率 I
C
= 0.5 一个 v
CE
= 10 v 30 MHz
C
CBO
集电级-根基
电容
I
E
= 0 v
CB
= 10 v f = 0.1 mhz 250 pF
t
转变 在 时间 I
C
= 2 一个 v
CC
= 40 v i
B1
= 0.2 一个 200 ns
t
s
存储 时间 I
C
= 2 一个 v
CC
= 40 v
I
B1
= -i
B2
= 0.2a
2
µ
s
t
f
下降 时间 200 ns
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
2N5339
2/4
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