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资料编号:1060431
 
资料名称:BAT85S
 
文件大小: 40308K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diode
 
 


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BAT85S
rev. 3, 01-apr-992 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600 文档 号码 85513
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=0.1ma V
F
240 mVg
I
F
=1mA V
F
320 mV
I
F
=10mA V
F
400 mV
I
F
=30mA V
F
500 mV
I
F
=100mA V
F
800 mV
反转 电流 V
R
=25V I
R
2
m
一个
二极管 电容 V
R
=1v, f=1mhz C
D
10 pF
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
15822
V
R
= 30 v
p – 反转 电源 消耗 ( mw )
R
540k/w
P
R
–Limit
@100%V
R
P
R
–Limit
@80%V
R
R
thJA
=
图示 1. 最大值 反转 电源 消耗 vs.
接合面 温度
1
10
100
1000
25 50 75 100 125 150
1
10
100
1000
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
15823
V
R
= v
RRM
m
i – 反转 电流 ( 一个 )
R
图示 2. 反转 电流 vs. 接合面 温度
0 0.5 1.0 1.5
i – 向前 电流 ( 一个 )
V
F
– 向前 电压 ( v )
15824
F
T
j
=25
°
C
T
j
= 150
°
C
0.1
1
10
100
1000
图示 3. 向前 电流 vs. 向前 电压
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1 1.0 10.0 100.0
V
R
– 反转 电压 ( v )
15825
c – 二极管 电容 ( pf )
D
f=1MHz
图示 4. 二极管 电容 vs. 反转 电压
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