M29F040B_集成电路资料查询网

M29F040B
14/21
图示 8. 写 交流 波形, 写 使能 控制
AI02908
E
G
W
a0-a18
dq0-dq7
有效的
有效的
V
CC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWHtGHWL
表格 12. 写 交流 特性, 写 使能 控制
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
C 或者 –40 至 125
°
c)
标识 Alt 参数
M29F040B 单位
45 55 70 / 90
t
AVAV
t
WC
地址 有效的 至 Next 地址 有效的 最小值 45 55 70 ns
t
ELWL
t
CS
碎片 使能 低 至 写 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
WLWH
t
WP
Write 使能 低 至 Write 使能 高 最小值 40 40 45 ns
t
DVWH
t
DS
输入 有效的 至 Write 使能 高 最小值 25 25 30 ns
t
WHDX
t
DH
Write 使能 高 至 输入 转变 最小值 0 0 0 ns
t
WHEH
t
CH
Write 使能 高 至 碎片 使能 高 最小值 0 0 0 ns
t
WHWL
t
WPH
Write 使能 高 至 Write 使能 低 最小值 20 20 20 ns
t
AVWL
t
作
地址 有效的 至 Write 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
WLAX
t
AH
Write 使能 低 至 地址 转变 最小值 40 40 45 ns
t
GHWL
输出 使能 高 至 Write 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
WHGL
t
OEH
Write 使能 高 至 Output 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
高 至 碎片 使能 低
最小值 50 50 50
µ
s

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M29F040B 14/21 图示 8. 写交流波形, 写使能控制 AI02908 E G W a0-a18 dq0-dq7 有效的有效的 V CC tVCHEL tWHEH tWHWL tELWL tAVWL tWHGL tWLAX tWHDX tAVAV tDVWH tWLWHtGHWL 表格 12. 写交流特性, 写使能控制 (t 一个 = 0 至 70 ° c, –40 至 85 ° C 或者 –40 至 125 ° c) 标识 Alt 参数 M29F040B 单位 45 55 70 / 90 t AVAV t WC 地址有效的至 Next 地址有效的最小值 45 55 70 ns t ELWL t CS 碎片使能低至写使能低最小值 0 0 0 ns t WLWH t WP Write 使能低至 Write 使能高最小值 40 40 45 ns t DVWH t DS 输入有效的至 Write 使能高最小值 25 25 30 ns t WHDX t DH Write 使能高至输入转变最小值 0 0 0 ns t WHEH t CH Write 使能高至碎片使能高最小值 0 0 0 ns t WHWL t WPH Write 使能高至 Write 使能低最小值 20 20 20 ns t AVWL t 作地址有效的至 Write 使能低最小值 0 0 0 ns t WLAX t AH Write 使能低至地址转变最小值 40 40 45 ns t GHWL 输出使能高至 Write 使能低最小值 0 0 0 ns t WHGL t OEH Write 使能高至 Output 使能低最小值 0 0 0 ns t VCHEL t VCS V CC 高至碎片使能低最小值 50 50 50 µ s

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