M29F016B
2/20
图示 2a. TSOP 连接
A1
DQ1
DQ2A10
A4
A2
A7
A6
A14
A20
A17
A18
DQ7
A13
A19
A0
W
DQ5
DQ3
V
SS
V
CC
DQ4
DQ6
A12
E
RP
A11
NC
V
CC
AI02969
M29F016B
10
1
11
20 21
30
31
40
A3
A15
A16 G
RB
A8
A9
V
SS
DQ0
NC
A5
图示 2b. 所以 连接
A2
A1
A0
A6
NC
NC
A3
A5
A4
A17
A20
A18
A19
W
A16
NC
NC
NC
DQ6DQ2
V
SS
V
CC
V
SS
DQ4
G
A13
E
NC
A7
RP
V
CC
A10
AI02965
M29F016B
8
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
2322
20
19
18
17DQ0
DQ1
A9
A8
RB
DQ7
44
39
38
37
36
35
34
33
A15
A14
DQ3
21
DQ5
40
43
1
42
41
A11 A12
表格 1. 信号 Names
a0-a20 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入/输出
E 碎片 使能
G 输出放 使能
W Write 使能
RP 重置/块 Temporary Unprotect
RB 准备好/busy Output
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
SUMMARY 描述
这 M29F016B 是 一个 16 Mbit (2mb x8) 非-易变的
记忆 那 能 是 读, erased 和 repro-
grammed. 这些 行动 能 是 执行 美国-
ing 一个 单独的 5V 供应. On 电源-向上 这 记忆
defaults 至 它的 读 模式 在哪里 它 能 是 读 在
这 一样 方法 作 一个 只读存储器 或者 非易失存储器.
这 记忆 是 分隔 在 blocks 那 能 是
erased independently 所以 它 是 可能 至 preserve
有效的 数据 当 old 数据 是 erased. Blocks 能 是
保护 在 groups 至 阻止 意外的 程序
或者 擦掉 commands 从 modifying 这 记忆.
程序 和 擦掉 commands 是 写 至 这
Command 接口 的 这 记忆. 一个 在-碎片
程序/擦掉 控制 使简化 这 处理 的
程序编制 或者 erasing 这 记忆 用 带去
小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是 re-
quired 至 更新 这 记忆 内容. 这 终止 的
一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是 发现 和
任何 错误 情况 identified. 这 command 设置
必需的 至 控制 这 记忆 是 consistent 和
电子元件工业联合会 standards.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 一个 TSOP40 (10 x 20mm)
和 SO44 包装. 进入 时间 的 55ns, 70ns
和 90ns 是 有. 这 记忆 是 有提供的
和 所有 这 位 erased (设置 至 ’1’).
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