E
ab28f200br, ab28f400br
9
进步 信息
2.2 Pinouts
intel 5 v 激励 块 architecture 提供 upgrade
paths 在 各自 包装 引脚 向上 至 这 4-mbit
密度. 这 28f200 44-含铅的 psop 引脚 跟随
这 工业-标准 只读存储器/非易失存储器 引脚, 作
显示 在
图示 1.
一个 引脚 为 这 相应的 4-mbit 组件 是
提供 在 这 一样 图解 为 便利的
涉及. 这 2-mbit 引脚 是 给 在 这 碎片
illustration 在 这 中心, 和 这 4-mbit 引脚
调整.
2.3 记忆 blocking organization
这 激励 块 产品 家族 特性 一个
asymmetrically-blocked architecture 供应
系统 记忆 integration. 各自 块 能 是
erased independently. 这 块 sizes 有 被
选择 至 优化 它们的 符合实际 为 一般
产品 的 nonvolatile 存储. 为 这 地址
locations 的 这 blocks, 看 这 记忆 maps 在
计算数量 2, 3, 4 和 5.
2.3.1 一个 16-kb 激励 块
这 激励 块 是 将 至 替代 一个 专心致志的
激励 prom 在 一个 微处理器 或者 微控制器-
为基础 系统. 这 16-kbyte (16,384 字节) 激励
块 是 located 在 也 这 顶 (denoted 用 -t
后缀) 或者 这 bottom (-b 后缀) 的 这 地址 编排
至 accommodate 不同的 微处理器 protocols
为 激励 代号 location. 这个 激励 块 特性
硬件 controllable 写-保护 至 保护 这
crucial 微处理器 激励 代号 从 意外的
修改. 这 保护 的 这 激励 块 是
控制 使用 一个 结合体 的 这 v
PP
, rp#, 和
wp# 管脚, 作 是 详细地 在 部分
3.3.
2.3.2 二 8-kb 参数 blocks
各自 激励 块 组件 包含 二 参数
blocks 的 8 kbytes (8,192 字节) 各自 至 facilitate
存储 的 frequently updated 小 参数 那
将 正常情况下 需要 一个 可擦可编程只读存储器. 用 使用
软件 技巧, 这 字节-rewrite 符合实际
的 eeproms 能 是 emulated. 这些 技巧
是 详细地 在 intel’s 应用 便条,
ap-604
使用 intel’s 激励 块 flash 记忆 参数
blocks 至 替代 可擦可编程只读存储器
. 这 参数 blocks
是 不 写-protectable.
2.3.3 主要的 blocks - 一个 96-kb +
额外的 128-kb blocks
之后 这 allocation 的 地址 空间 至 这 激励
和 参数 blocks, 这 remainder 是 分隔 在
主要的 blocks 为 数据 或者 code 存储. 各自 设备
包含 一个 96-kbyte (98,304 字节) 块 和
额外的 128-kbyte (131,072 字节) blocks. 这
2-mbit 有 一个 128-kb 块 和 这 4-mbit, 三.
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