绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 22 V
直流
或者
±
11 V
直流
电源 消耗 (便条 2)
J 包装 1W
N 包装 750 mW
最大 T
J
J 包装 +150˚C
N 包装 +125˚C
热的 阻抗
J 包装
θ
jA
147˚c/w 安静的 空气
110˚c/w 和 400 直线的 feet/最小值 空气 流动
N 包装
θ
jA
100˚c/w 安静的 空气
75˚c/w 和 400 直线的 feet/最小值 空气 流动
输入 电流, I
在
(+) 或者 I
在
(−) 10 毫安
直流
设置 电流, I
设置(在)
或者 I
设置(输出)
2mA
直流
运行 温度 范围
LM359 0˚C 至 +70˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 260˚C
焊接 信息
双-在-线条 包装
焊接 (10 秒.) 260˚C
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接
表面 挂载 设备.
静电释放 比率 至 是 决定.
电的 特性
I
设置(在)
=
I
设置(输出)
=
0.5 毫安, V
供应
=
12v, T
一个
=
25˚C 除非 否则 指出
参数 情况 LM359 单位
最小值 典型值 最大值
打开 循环 电压 V
供应
=
12v, R
L
=
1k, f
=
100 Hz 62 72 dB
增益 T
一个
=
125˚C 68 dB
带宽 R
在
=
1k
Ω
,c
竞赛
=
10 pF 15 30 MHz
统一体 增益
增益 带宽 产品 R
在
=
50
Ω
至 200
Ω
200 400 MHz
增益 的 10 至 100
回转 比率
统一体 增益 R
在
=
1k
Ω
,c
竞赛
=
10 pF 30 v/µs
增益 的 10 至 100 R
在
<
200
Ω
60 v/µs
放大器 至 放大器 f
=
100 Hz 至 100 khz, R
L
=
1k −80 dB
连接
Mirror 增益 在 2 毫安 I
在
(+), I
设置
=
5 µa, T
一个
=
25˚C 0.9 1.0 1.1 µa/µa
(便条 3) 在 0.2 毫安 I
在
(+), I
设置
=
5 µA 0.9 1.0 1.1 µa/µa
在 温度
在 20 µA I
在
(+), I
设置
=
5 µA 0.9 1.0 1.1 µa/µa
在 温度
∆
Mirror 增益 在 20 µA 至 0.2 毫安 I
在
(+) 3 5
%
(便条 3) 在 温度, I
设置
=
5µA
输入 偏差 电流 反相的 输入, T
一个
=
25˚C 8 15 µA
在 温度 30 µA
输入 阻抗 (
β
re) 反相的 输入 2.5 k
Ω
输出 阻抗 I
输出
=
15 毫安 rms, f
=
1 MHz 3.5
Ω
输出 电压 摆动 R
L
=
600
Ω
V
输出
高 I
在
(−) 和 I
在
(+) Grounded 9.5 10.3 V
V
输出
低 I
在
(−)
=
100 µa, I
在
(+)
=
0 2 50 mV
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