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资料编号:1061493
 
资料名称:HM65664A
 
文件大小: 142559K
   
说明
 
介绍:
8 K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
 
 


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hm 65664a
rev. c (11 apr. 97)
3
毫安
tra mhs
管脚 配置
塑料 300 &放大; 600 毫英寸, 28 管脚, dil.
陶瓷的 300 &放大; 600 毫英寸, 28 管脚, dil.
soic &放大; soj 300 毫英寸, 28 管脚
soic 330 毫英寸, 28 管脚
引脚 dil/soj 28 管脚 (顶 视图) 引脚 lcc 32 管脚 (顶 视图)
lcc, 32 管脚.
逻辑 标识
管脚 names
A0–A12: 地址 输入 CS1 : chip–select 1
i/o0–i/o7 : 输入/输出 CS2 : chip–select 2
VCC : 电源 OE : 输出 使能
: 地面 W
: w
rite 使能
CS1 CS2 OE W
DATA–
DATA–
输出
模式
H X X X Z Z Deselect
L H L H Z 有效的
L H X L 有效的 Z
L H H H Z Z 输出
使不能运转
l = 低, h = 高, x = h 或者 l, z = 高 阻抗
电的 特性
绝对 最大 比率
供应 电压 至 地 潜在的 : –0.5 v 至 +7.0 v. . . . . . . . . . . . . . .
输入 或者 输出 电压 应用 : (地 – 0.3 v) 至 (vcc + 0.3 v). . . .
存储 温度 : –65
°
c 至 +150
°
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
electro 静态的 释放 电压 > 2000 v
(milstd 883c 方法 3015.2)
运行 范围
运行 电压 运行 温度
军队 (– 2) V
CC
±
10 % – 55
c 至 + 125
C
Automotive (– 一个) V
CC
±
10 % – 40
c 至 + ???
工业的 (– 9) V
CC
±
10 % – 40
c 至 + 85
C
商业的 (– 5) V
CC
±
10 % 0
c 至 + 70
C
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