TSM67V05
rev. e (21 fev. 97)
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预告(展)
matra mhs
介绍
这 tsm67v05 是 一个 非常 低 电源 cmos 双 端口
静态的 内存 有组织的 作 8192
×
8. 这 tsm67v05 是
设计 至 是 使用 作 一个 保卫-alone 8 位 双 端口 内存
或者 作 一个 结合体 主控/从动装置 双 端口 为 16 位
或者 更多 宽度 系统. 使用 这 temic
主控/从动装置 双 端口 approach 在 记忆 系统
产品 结果 在 全部 速, 错误 自由 运作
没有 这 需要 为 额外的 分离的 逻辑.
主控 和 从动装置 设备 提供 二 独立的 端口
和 独立的 控制, 地址 和 i/o 管脚 那 准许
独立的, 异步的 进入 为 读 和 写 至
任何 location 在 这 记忆. 一个 自动 电源 向下
特性 控制 用 cs
准许 这 onchip 电路系统 的
各自 端口 在 顺序 至 enter 一个 非常 低 保卫-用 电源
模式.
使用 一个 排列 的 第八 晶体管 (8t) 记忆 cell 和
fabricated 和 这 状态 的 这 艺术 0.65
µ
m lithography
named scmos, 这 tsm67v05 结合 一个 极其
低 备用物品 供应 电流 (典型值 = 1.0
µ
一个) 和 一个 快
进入 时间 在 35 ns 在 这 全部 温度 范围. 所有
版本 提供 电池 backup 数据 保持 能力
和 一个 典型 电源 消耗量 在 较少 比 3.3
µ
w.
为 军队/空间 产品 那 要求 更好的
水平 的 效能 和 可靠性 这 tsm67v05 是
processed 符合 至 这 方法 的 这 最新的 修订
的 这 mil 标准 883 (类 b 或者 s) 和/或者 esa scc 9000.
特性
3.3 v
±
0.3 v 低 电压 仅有的
快 进入 时间
35 ns 至 70 ns
宽 温度 范围 :
–55
°
至 +125
°
C
tsm67v05 l 低 电源
tsm67v05 v 非常 低 电源
expandable 数据 总线 至 16 位 或者 更多 使用 主控/从动装置
碎片 选择 当 使用 更多 比 一个 设备 在 碎片
arbitration 逻辑
多功能的 管脚 选择 为 主控 或者 从动装置 :
– m/s
= h 为 busy 输出 标记 在 主控
– m
/s = l 为 busy 输入 标记 在 从动装置
int 标记 为 端口 至 端口 交流
全部 硬件 支持 的 semaphore signaling 在 端口
全部地 异步的 运作 从 也 端口
电池 后面的 向上 运作 : 2 v 数据 保持
8 k x 8 cmos 双 端口 内存 低 电压 3.3 volt
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