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资料编号:1061631
 
资料名称:uPA502T
 
文件大小: 63712K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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4
µ
PA502T
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
1000
500
100
50
10 50 500 1000
I
D
- 流 电流 - 毫安
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
10
100
V
GS
= 10 v
搏动
度量
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
100
50
10
5
1 5 50 100
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
1
10
I
D
= 10 毫安
搏动
度量
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 频道 温度
30
20
10
–30 0 30 60 90 120 150
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
电容 vs. 流 至
源 电压
100
10
1
0.1 1 10 100
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
0.1
V
GS
= 10 v
搏动
度量
0
切换 特性
100
50
20
10 20 50 100
I
D
- 流 电流 - 毫安
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
10
t
d(止)
t
f
t
r
t
d(在)
V
DD
= 5 v
V
GS
= 5 v
R
G
= 10
源 至 流 二极管
向前 电压
100
10
1
0.6
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 毫安
0.1
0.50.4 0.7 0.8 0.9 1
V
GS
= 0
f = 1 mhz
C
iss
C
oss
C
rss
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