6
LTC1314/LTC1315
EN0
EN1
VPP
在
VCC
在
VPP
输出
地
便条: 1
µ
f 电容 连接 在 两个都 vpp
在
和 v
CCIN
管脚 在 定时 测试
t
7
ltc1314 • sw
t
5
t
2
t
4
t
1
t
6
t
3
hi-z
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
pcmcia vpp 控制 是 容易地 accomplished 使用 这
ltc1314 或者 ltc1315 切换 矩阵变换. 二 控制 位
(ltc1314) 或者 四 控制 位 (ltc1315) 决定 这
输出 电压 和 备用物品/运作 模式 情况. 输出-
放 电压 的 0v, v
CCIN
(3.3v 或者 5v), vpp
在
, 或者 一个 高
阻抗 状态 是 有. 当 也 这 高 imped-
ance 或者 低 电压 (0v) 情况 是 选择, 这 设备
switches 在 “sleep” 模式 和 牵引 0.1
µ
一个 的 电流
从 这 v
DD
供应.
这 ltc1314/ltc1315 是 低 阻抗 电源 场效应晶体管
切换 matrices 那 运作 从 这 计算机 系统
主要的 电源 供应. 设备 电源 是 得到 从 v
DD
,
这个 是 5v
±
0.5v. 这 门 驱动 为 这 nfets (两个都
内部的 和 外部) 是 获得 从 内部的 承担
pumps, 因此 vpp
在
是 仅有的 必需的 当 它’s 切换
至 vpp
输出
. 内部的 破裂-在之前-制造 switches deter-
mine 这 输出 电压 和 设备 模式.
flash 记忆 card vpp 电源 仔细考虑
pcmcia 兼容 flash 记忆 cards 需要 tight
规章制度 的 这 12v vpp 程序编制 供应 至 确保
那 这 内部的 flash 记忆 电路 是 从不 subjected
至 损害的 情况. flash 记忆 电路 是 typi-
cally 评估 和 一个 绝对 最大 的 13.5v 和 vpp
必须 是 maintained 在 12v
±
5% 下面 所有 可能 加载
情况 在 擦掉 和 程序 循环. 欠压
能 decrease 指定 flash 记忆 可靠性 和 在-
电压 能 损坏 这 设备.
V
CC
转变 驱动器 和 vpp 转变 矩阵变换
计算数量 1 和 2 显示 这 approach 那 是 非常 空间 和
电源 效率高的. 这 ltc1314/ltc1315 使用 在 conjunc-
tion 和 这 lt1301 直流/直流 转换器, 提供 完全
电源 管理 为 一个 pcmcia card slot. 这 ltc1314/
ltc1315 和 lt1301 结合体 提供 一个 高级地 effi-
cient, minimal 部分 计数 解决方案. 这些 电路 是
特别 好的 为 产品 那 是 adding 一个 pcmcia
插座 至 存在 系统 那 目前 有 仅有的 5v 或者
3.3v 有.
这 ltc1314 驱动 三 n-频道 (ltc1315 六
n-频道) mosfets 那 提供 v
CC
管脚 电源 转变-
ing. 在-碎片 承担 pumps 提供 这 需要 电压
至 全部地 增强 这 switches. 和 这 承担 pumps 在-
碎片, 这 场效应晶体管 驱动 是 有 没有 这 需要 为 一个
12v 供应. 这 ltc1314/ltc1315 提供 一个 自然的
破裂-在之前-制造 action 和 平整的 transitions 预定的 至
SWITCHIg 德州仪器e waveforS
UWW
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