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半导体 组 104 流 源 损坏 电压 V (br)dss ( T j )= b × V (br)dss (25 ˚c) 向前 特性 的 反转 二极管 I F = f ( V SD ) 参数: T j, t p = 80 µ s (展开) 典型值 capacitances c= f ( V DS ) 参数: V GS = 0, f = 1 mhz (展开) bsm 224 一个 | |
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