5–2
h11d1/2/3
特性
(t
一个
=25
°
c, 除非 否则 指定)
图示 1. 切换 时间 度量-测试 电路 和 波形
切换 时间(典型值.)
I
C
=2 毫安 (至 是 调整 用 varying i
F
), r
L
=100
Ω
,
T
一个
=25
°
c, v
CC
=10 v
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.1 1.5 V I
F
=10 毫安
反转 电压 V
R
6VI
R
=10 毫安
反转 电流 I
R
0.01 10 毫安 V
R
=6 v
电容 C
O
25 pF V
R
=0 v,f=1 mhz
热的 阻抗 R
thJA
750 k/w
探测器
电压, 集电级-发射级
h11d1/h11d2
H11D3
电压, 发射级-根基
BV
CER
BV
EBO
300
200
7
V
V
V
I
CE
=1 毫安, r
是
=1 m
Ω
I
EB
=100
µ
一个
电容 C
CE
C
CB
C
EB
7
8
38
pF
pF
pF
V
CE
=10 v, f=1 mhz
V
CB
=10 v, f=1 mhz
V
EB
=5 v, f=1 mhz
热的 阻抗 R
thJA
250 k/w
包装
连接 电容 C
C
0.6 pF
连接 转移 比率 I
C
/i
F
20 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v, r
是
=1 m
Ω
集电级-发射级, 饱和 电压 V
CEsat
0.25 0.4 V I
F
=10 毫安, i
C
=0.5 毫安, r
是
=1 m
Ω
泄漏 电流, 集电级-发射级
h11d1/h11d2
H11D3
泄漏 电流, 集电级-发射级
h11d1/h11d2
H11D3
I
CER
I
CER
100
100
250
250
nA
nA
µ
一个
µ
一个
V
CE
=200 v, r
是
=1 m
Ω
V
CE
=100 v, r
是
=1 m
Ω
V
CE
=200 v, r
是
=1 m
Ω
, t
一个
=100
°
C
V
CE
=100 v, r
是
=1 m
Ω
, t
一个
=100
°
C
描述 标识 值 单位
转变-在 时间 t
在
5
µ
s
上升 时间 t
R
2.5
µ
s
转变-止 时间 t
止
6
µ
s
下降 时间 t
F
5.5
µ
s
R
L
I
F
地
V
O
I
C
47
Ω
V
CC
输出
0
10%
50%
90%
90%
50%
10
%
t
在
t
止
t
pdof
t
pdon
t
d
t
r
t
s
t
r
输入
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