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mpsa 92
mpsa 93
半导体 组 2
电的 特性
在
T
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指定.
参数 标识 限制 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0 mpsa 92
mpsa 93
V
(br)ce0
300
200
–
–
–
–
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个
, i
B
= 0 mpsa 92
mpsa 93
V
(br)cb0
300
200
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100
µ
一个
, i
B
= 0
V
(br)eb0
5––
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 200 V mpsa 92
V
CB
= 160 V mpsa 93
V
CB
= 200 V
, t
一个
= 150
°
C mpsa 92
V
CB
= 160 v,
T
一个
= 150
°
C mpsa 93
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
20
20
nA
nA
µ
一个
µ
一个
发射级-根基 截止 电流
V
是
= 3 v,
I
C
= 0
I
CER
– – 100 nA
直流 电流 增益
1)
I
C
=   1 毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 10 V
h
FE
25
40
25
–
–
–
–
–
–
–
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 20 毫安,
I
C
= 2 毫安 mpsa 92
mpsa 93
V
CEsat
–
–
–
–
0.5
0.4
V
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 20 毫安,
I
B
= 2 毫安
V
BEsat
– – 0.9
交流 特性
转变 频率
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 100 MHz
f
T
– 70 – MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 20 v,
f
= 1 MHz mpsa 92
mpsa 93
C
obo
–
–
–
–
6
8
pF
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
≤
2%.

标　题:
内　容:
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mpsa 92 mpsa 93 半导体组 2 电的特性在 T 一个 = 25 ° c, 除非否则指定. 参数标识限制值单位最小值典型值最大值直流特性集电级-发射级损坏电压 I C = 1 毫安, I B = 0 mpsa 92 mpsa 93 V (br)ce0 300 200 – – – – V 集电级-根基损坏电压 I C = 100 µ 一个 , i B = 0 mpsa 92 mpsa 93 V (br)cb0 300 200 – – – – 发射级-根基损坏电压 I E = 100 µ 一个 , i B = 0 V (br)eb0 5–– 集电级-根基截止电流 V CB = 200 V mpsa 92 V CB = 160 V mpsa 93 V CB = 200 V , t 一个 = 150 ° C mpsa 92 V CB = 160 v, T 一个 = 150 ° C mpsa 93 I CB0 – – – – – – – – 100 100 20 20 nA nA µ 一个 µ 一个发射级-根基截止电流 V 是 = 3 v, I C = 0 I CER – – 100 nA 直流电流增益 1) I C = 1 毫安, V CE = 10 V I C = 10 毫安, V CE = 10 V I C = 30 毫安, V CE = 10 V h FE 25 40 25 – – – – – – – 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 20 毫安, I C = 2 毫安 mpsa 92 mpsa 93 V CEsat – – – – 0.5 0.4 V 根基-发射级饱和电压 1) I C = 20 毫安, I B = 2 毫安 V BEsat – – 0.9 交流特性转变频率 I C = 20 毫安, V CE = 10 v, f = 100 MHz f T – 70 – MHz 集电级-根基电容 V CB = 20 v, f = 1 MHz mpsa 92 mpsa 93 C obo – – – – 6 8 pF 1) 脉冲波测试情况: t ≤ 300 µ s, D ≤ 2%.

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